[发明专利]一种高温埋碳碳热还原制备高纯β型-碳化硅微纳粉体的方法有效
申请号: | 202110036787.7 | 申请日: | 2021-01-12 |
公开(公告)号: | CN112777598B | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 陈建军;杨佳豪;朱明明;郑旭鹏;施嘉辉 | 申请(专利权)人: | 浙江理工大学 |
主分类号: | C01B32/984 | 分类号: | C01B32/984;B82Y40/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 林超 |
地址: | 310018 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种高温埋碳碳热还原制备高纯β型‑碳化硅微纳粉体的方法。硅粉与可膨胀石墨按比例进行配料、混合均匀,获得混合原料;将混合原料通过坩埚以及由石墨纸、耐火棉、石墨粉组成的覆盖层埋碳封装;将埋碳后物料坩埚放入高温烧结炉中,高温发生碳热还原反应;待物料完全冷却后,将坩埚取出,去除覆盖层后得到碳化硅粉体,将碳化硅粉体放入马弗炉中在氧气氛围中高温煅烧;以球磨等方式进行分散;碳化硅粉体经酸洗、水洗后得到β型‑碳化硅微纳粉体。本发明采用高温埋碳碳热还原方式制备的β型‑碳化硅微纳粉体为微纳米级,一级粉体提纯细化后产率高,且工艺简单、成本低,适宜大规模工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 高温 埋碳碳热 还原 制备 高纯 碳化硅 微纳粉体 方法 | ||
【主权项】:
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