[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110035225.0 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN113140615A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 吉野学;清水和宏 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 得到不会使高耐压分离区域和高耐压MOS的RESURF耐压降低，能够对高耐压分离区域和高耐压MOS之间的泄漏电流进行抑制的半导体装置。高耐压分离区域具有在半导体基板(8)的主面形成的第2导电型的第1扩散层(9)。高耐压MOS具有在半导体基板(8)的主面形成的第2导电型的第2扩散层(10)。低电位侧电路区域具有在半导体基板(8)的主面形成的第1导电型的第3扩散层(11)。在第1扩散层(9)和第2扩散层(10)之间露出的半导体基板(8)的主面形成有杂质浓度比半导体基板(8)高的第1导电型的第4扩散层(12)。第4扩散层(12)从高电位侧电路区域向低电位侧电路区域延伸，该第4扩散层没有与第3扩散层(11)接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110035225.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：旋转电机
- 下一篇：形成高纵横比特征的方法
- 同类专利
- 专利分类
