[发明专利]气相表面改性在审

申请号：	202080085084.7	申请日：	2020-10-09
公开（公告）号：	CN114829669A	公开（公告）日：	2022-07-29
发明（设计）人：	陈国钧;杰瑞米·雷克伊	申请（专利权）人：	宽腾矽公司
主分类号：	C23C16/02	分类号：	C23C16/02;C23C16/00;B05D1/00;C23C16/455;C23C16/04
代理公司：	北京品源专利代理有限公司 11332	代理人：	刘明海;胡彬
地址：	美国康***	国省代码：	暂无信息
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本申请的方面提供了生产具有改性表面的基底的方法。在一些方面，表面改性的方法包括用气相的有机试剂处理基底表面，以在该表面上形成有机层。在一些方面，提供了在氧化表面上形成稳定表面涂层的方法。使用了有机磷酰卤。
搜索关键词：	表面改性
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摘要：本发明涉及镀膜技术领域，具体而言，涉及PECVD载板的处理方法及PECVD设备，其包括以下步骤：将载板置于载板传输机构上并输送至加热腔，通过所述加热腔内的加热装置对所述载板进行烘干，并通过抽真空系统对所述加热腔抽真空，以去除所述载板上附着的水汽；所述载板传输机构继续将所述载板输送至所述镀膜腔，以在所述载板表面覆盖本征层。其能够避免载板上残留的杂质元素对硅片镀膜的影响，提高HJT电池的质量性能。

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摘要：本发明提供了一种表面具有纳米金刚石薄膜涂层的PCBN刀具及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将预处理后的PCBN刀具在纳米金刚石粉中进行干抛至光亮，然后置于基台上，放入微波等离子体化学气相沉积系统中抽真空，抽真空后通入第一反应源气体；开启微波等离子体化学气相沉积系统，微波激发第一反应源气体产生等离子体球，然后通入第二反应源气体开始沉积，沉积完成后得到表面具有纳米金刚石薄膜涂层的PCBN刀具；所述制备方法优化了微波等离子体化学气相沉积工艺，通过调控制备条件，在刀具表面均匀沉积纳米级金刚石涂层，有效提高了金刚石涂层的薄膜质量与稳定性，延长了刀具的使用寿命，具有较好的工业化应用前景。

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摘要：本发明涉及一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法。该方法采用化学性质和物理性质相对稳定的SiC作为衬底，并在其表面形成SiN缓冲层后，通过电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR‑PEMOCVD)在较低温度下形成InN薄膜，所形成的InN薄膜不存在杂质离子混入，质量较高。

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摘要：本发明公开了一种表面织构和固体涂层协同降低钽钨合金摩擦系数的方法，其中，表面织构选自平行沟槽、网状沟槽、V型沟槽、圆形凹坑、椭圆形凹坑、圆环凹坑、矩形凹坑、菱形凹坑、多边形凹坑中的一种或多种，表面织构尺寸为微米级，固体涂层选自聚四氟乙烯、聚醚醚酮、二硫化钼、二硫化钨、石墨、石墨烯、类金刚石中的一种或多种。本发明针对某些应用场景中钽钨合金活动部件摩擦力过大的难题，利用表面织构和固体涂层的协同作用，在干摩擦条件下，将摩擦系数降低1个数量级，有效改善钽钨合金部件的使役性能。

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摘要：本发明公开了一种用于FPGA芯片基板镀膜的预处理设备，包括工作框、清洗机构；清洗机构包括连接板；连接板安装在工作框两侧外壁的上方，连接板的上方通过连接梁上水平移动的摆动机构，摆动机构包括连接板；连接轴转动安装在安装板上，连接轴上套设有连接板，连接板与第二气缸的输出端连接，连接轴的一端延伸出安装板，并设置有与基板载体相适配的固定架；固定架包括安装竖梁、安装横梁，安装竖梁水平设置有两个，并安装在连接轴上，安装竖梁上竖直设置有两个，并设置在安装竖梁，本发明的清洗机构，通过设置的摆动机构，可以使得FPGA芯片基板在脱脂剂溶液和去离子水中不断摆动清洗，从而提高对FPGA芯片基板的清洗效率。

一种硫化锌球罩生产用沉积室表面涂层处理机构-202222342836.2
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摘要：本实用新型涉及硫化锌球罩生产领域，具体涉及一种硫化锌球罩生产用沉积室表面涂层处理机构，安置在沉积室内，包括固定在沉积室内的球罩模具，还包括涂层处理结构，涂层处理结构包括与球罩模具外表面契合的刷架、刮片和驱动单元，刷架设置在球罩模具的外表面，刮片与刷架固定连接，且刮片设置在球罩模具和刷架之间，驱动单元与刷架连接，以驱使刷架转动，在现有技术的基础上，提出一种涂层处理机构，在球罩模具外侧增设涂层处理结构，利用刷架和刮片配合，实现对球罩模具外表面残留杂质的清洁，有效提升制备的硫化锌球罩的内表面平整性，从而无需进行二次加工，提升生产效率。

硬模和通过等离子体增强化学气相沉积形成硬模的工艺-202180080877.4
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申请日： 2021-10-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/02
摘要：本公开内容的实施例总体涉及硬模和通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成硬模的工艺。在实施例中，提供用于在基板上形成硬模层的工艺。工艺包括将基板引入PECVD腔室的处理空间，基板在基板支撑件上，基板支撑件包括静电夹盘；以及流动处理气体进入PECVD腔室内的处理空间中，处理气体包括含碳气体。工艺进一步包括在等离子体条件下从处理空间中的处理气体形成激励的处理气体，将基板静电夹持到基板支撑件，在静电夹持基板的同时在基板上沉积第一含碳层，并通过在基板上沉积第二含碳层来形成硬模层。

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申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/02
摘要：本发明公开了一种提高激光晶体与陶瓷散热性能的方法，该方法在金刚石的生长过程中通入氧气，并在衬底与样品托之间加入阻热片，利用物理气相沉积与化学气相沉积在激光晶体与陶瓷上制备包含过渡层和金刚石薄膜的散热层，该散热层以晶粒直径为微米级的多晶金刚石作为其主要成分。采用本方法在激光晶体与陶瓷上制备的金刚石薄膜具有连续性好、附着性强、非金刚石相含量少的显著特点，具有良好的热传导能力。使用本方法获得的散热层，可以有效提高激光晶体与陶瓷在激光应用时的散热能力。

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申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C16/02
摘要：本发明涉及金刚石薄膜技术领域，具体为一种金刚石薄膜及其制备方法，该制备方法包括：S1、在基底表面制备一层掺杂锌的金刚石薄膜；S2、将所述掺杂锌的金刚石薄膜先在惰性气氛中进行高温处理，使部分锌蒸发形成多孔结构，得到掺杂锌的多孔金刚石薄膜；S3、在所述掺杂锌的多孔金刚石薄膜表面制备一层纯的金刚石膜。本发明利用锌的沸点相对较低特性，在金刚石薄膜中掺杂锌，可通过加热使部分锌蒸发形成多孔结构，将其作为过渡层，能够利用多孔结构释放热应力，缓解基底和金刚石膜之间热膨胀系数差异的影响，从而显著提高金刚石膜的附着力、硬度和耐磨使用寿命，而且具有良好的透光性。

一种等离子体辅助多步骤连续制备渗层/非晶碳膜复合涂层的方法及其应用-202211029925.X
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申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C16/02
摘要：本发明涉及复合涂层制备技术领域，具体涉及一种等离子体辅助多步骤连续制备渗层/非晶碳膜复合涂层的方法及其应用，本发明利用梯度降温氩离子等离子体活化技术，衔接高温等离子体渗碳/氮和低温等离子体镀碳膜技术，利用多次高能氩离子轰击活化材料表面，去除渗层表面团簇状多孔疏松结构，使表面更加致密平整，促进后续非晶碳膜形核生长，形成一种高温氮/碳离子等离子体扩渗+梯度降温氩离子等离子体活化+低温碳离子等离子体镀膜多步骤连续制备渗层/非晶碳膜复合涂层的集成技术，并将其应用在轴承、齿轮等传动件、转动件领域。

一种微通道板镀膜前的基板预处理方法-202310362518.9
发明人：豆西博;朱香平;李相鑫;孙蒙雅;刘浩;杨军红 -专利权人：广东粤港澳大湾区硬科技创新研究院;东莞市中科原子精密制造科技有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C23C16/02
摘要：本申请提供了一种微通道板镀膜前的基板预处理方法，所述基板预处理方法包括以下步骤：步骤S10、将内置微通道板的聚四氟乙烯花篮置于装有HNO3溶液和HF溶液的第一混合液中经超声波振动后，再置于去离子水中超声波清洗；步骤S20、将清洗后的所述聚四氟乙烯花篮取出，置于丙酮溶液中经超声波振动后，再置于去离子水超声波清洗；步骤S30、将清洗后的所述聚四氟乙烯花篮取出，置于乙醇溶液中经超声波振动清洗。通过上述步骤对微通道板进行腐蚀清洗后，清除了微通道板表面吸附的污染物，提高了微通道板表面的附着力，有利于下一步镀膜工作。

半导体处理系统、金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法-202110214742.4
发明人：陈威良;庄字周;黄敬泓;刘彩吉;陈彦秀;叶玉隆;陈永祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C23C16/02
摘要：提供一种半导体处理系统以在金属‑绝缘体‑金属电容器中形成电容器介电层。所述半导体处理系统包括：前体槽，被配置成从金属有机固体前体产生前体气体；处理室，被配置成执行等离子体增强化学气相沉积；以及至少一个缓冲槽，位于所述前体槽与所述处理室之间。所述至少一个缓冲槽通过第一管道耦合到所述前体槽，并通过第二管道耦合到所述处理室。

一种常压化学气相淀积的WS2薄膜制备方法-202310332163.9
发明人：刘鹏 -专利权人：华北电力大学
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摘要：本发明实施例涉及一种常压化学气相淀积的WS2薄膜制备方法。利用等离子体对用于生长WS2薄膜的衬底进行表面预处理；将反应所用硫粉装入第一石英舟中，将反应所用WO3粉末平铺装入第二石英舟的母舟中靠近首端的一侧，将表面预处理的衬底装入第二石英舟的子舟中，并将子舟装入母舟中靠近尾端的一侧；将第一石英舟送入常压化学气相淀积反应装置的第一温区段，将第二石英舟送入常压化学气相淀积反应装置的第二温区段；按照设定的温度曲线对第一温区段、第二温区段和第三温区段进行分段控温加热和保温，使硫蒸汽与WO3蒸汽反应生成沉积于衬底上的WS2薄膜，最后进行降温冷却。

一种高sp3-202211624290.8
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申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23C16/02
摘要：本发明公开了一种高sp3C含量的含氢碳基薄膜及其制备方法，步骤包括将表面经过处理后的导电金属工件置于真空镀膜装置的真空室中，真空室内安装了至少一个磁控靶阴极和至少一个离化源电极，采用等离子体对导电金属工件的表面进行刻蚀活化；采用磁控溅射的方式先沉积靶材Me层，然后沉积靶材Me与C混合的含碳梯度层Me/C层，从而形成Me‑Me/C过渡层；采用至少一个离化源电极在Me‑Me/C过渡层上制备厚度为1～6微米的含氢碳基涂层，得到高sp3C含量的含氢碳基薄膜。采用本发明方法制得的高sp3C含量的含氢碳基薄膜的生长速率达到100～150nm/min，含氢碳基涂层的sp3C体积含量超过45％。

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申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/02
摘要：本发明公开了一种金刚石组合刀具的制备工艺，属于金刚石刀具技术领域，包括如下步骤：将碳纳米管、金刚石颗粒和分散剂加入乙醇水溶液中，超声分散得到金刚石分散液；将基体经过清洗后进行化学刻蚀，得到表面带有负电的基体，然后放入金刚石分散液中，进行超声吸附；将超声吸附后的基体放置在热丝化学气相沉积设备中进行化学气相沉积。基体通过使用溶液进行先碱后酸的腐蚀处理后使基体表面带负电，通过在金刚石分散液中加入分散剂使碳纳米管、金刚石颗粒分散性更好，在该体系下通过静电吸附，提高吸附密度，在基体表面高密度形核，从而生长后的金刚石涂层附着力强，预防涂层剥落，分散更加均匀，不易产生孔洞，便于后续沉积工艺的进行。

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发明人：杨飞云 -专利权人：理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
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摘要：本发明提供用于制造异质结太阳能电池的PECVD设备及其预热腔。所述预热腔包括外腔以及设置在所述外腔之内的内腔，所述内腔包括分别设置在其顶部及底部的顶部加热模块及底部加热模块，还包括设置在顶部加热模块上的导热气体供应模块，所述导热气体供应模块向所述内腔排放导热气体，所述导热气体用于加快所述内腔内的热对流，使得放置在其中的托盘的升温速率达到2℃/s及其以上。本发明能提高预热速度、生产节拍及产能。

薄膜晶体管的制造方法-202180063924.4
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摘要：一种薄膜晶体管的制造方法，包括：等离子体处理工序，使用包含氮及氧的混合气体作为工艺气体来对半导体层的表面进行等离子体处理；以及绝缘层形成工序，使用包含SiF4、氮、氧及氢的混合气体作为工艺气体，通过等离子体CVD法，在所述等离子体处理后的半导体层之上形成绝缘层。

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摘要：本申请公开了一种金刚石膜生长方法、具有金刚石膜的硅片与应用，所述生长方法包括将硅片浸泡在金刚石粉分散液中，得到预处理后的硅片，其中，所述硅片的一面设有由沟槽形成的图形；对所述预处理后的硅片进行热丝化学气相沉积，得到具有金刚石膜的硅片，所述金刚石膜覆盖所述沟槽的底部和侧壁。该方法克服了在较窄较深沟槽内金刚石难形核、难生长问题，避免了沟槽底部及侧壁无法完好成膜导致的绝缘效应无法保证的问题；该方法尤其适合对带有宽16～50μm、深1～180μm沟槽的硅片进行成膜。

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摘要：本发明提供一种降低C/C喉衬烧蚀率及表面封孔的方法，以解决现有制备方法制得的C/C复合材料存在表面密度高，芯部密度低等问题。一种降低C/C喉衬烧蚀率及表面封孔的方法，步骤为：S1:对加工完内型面的C/C喉衬表面进行清洁；S2:将S1制备的C/C喉衬采用等温化学气相沉积工艺制备热解碳涂层。所述S2沉积温度为915℃、沉积压力为1.5Kpa，沉积时间为50小时。本发明提供的一种降低C/C喉衬烧蚀率及表面封孔的方法，是在C/C喉衬表面制备一层热解碳涂层的方法降低了喉衬的烧蚀率，烧蚀率降低30%以上，解决了C/C喉衬漏气的问题,喷管气检合格率达到100%。

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摘要：本申请涉及一种BDD电极的制备工艺，属于电极生产的技术领域，其包括如下步骤：S1、热压：包括制备设备，所述制备设备包括模具和热压板，所述热压板远离所述模具的一侧设有热压组件，将金刚石微粉均匀铺满所述模具底部，并将基体放置在金刚石微粉上侧，向基体远离金刚石微粉的一侧均匀铺满金刚石微粉，所述热压组件驱动热压板插入所述模具内部并对金刚石微粉和基体进行热压；S2、磨削：对基体热压金刚石微粉的两侧进行磨削处理；S3、化学沉积：将磨削完成的基体放入CVD设备中，并对磨削的两侧化学沉积，直至形成金刚石层，得到BDD电极。本申请具有减少金刚石层脱落的可能，延长BDD电极的使用寿命的效果。

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摘要：本发明涉及一种可调热导率的金刚石‑SiC复合衬底的制备方法，该方法利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)在SiC衬底生长沉积金刚石薄膜，生长过程中采用微波进行加热，微波功率、沉积压力以及加热温度采用升高‑平稳‑下降的方式进行，本发明的调整微波功率、沉积压力、气氛比例实现分阶段生长方法使得衬底的温差得到了很好的控制，金刚石膜在衬底上非常均匀地生长，最终得到了高质量均匀的金刚石薄膜，并且生长界面质量高，无空洞。可以使等离子体球可以完全均匀地覆盖SiC衬底上，从而实现厚度均匀，颗粒大小均匀的金刚石薄膜，从而使得导热系数高。

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摘要：公开了一种通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法。所述方法可以包含：使所述衬底与包括金属有机前体的第一气相反应物接触，所述金属有机前体包括选自由以下组成的群组的金属：铂、铝、钛、铋、锌和其组合。所述方法还可以包含：使所述衬底与包括四氧化钌的第二气相反应物接触，其中所述含钌膜包括钌‑铂合金或三元氧化钌中的至少一种。还公开了包含通过本发明的方法沉积的含钌膜的装置结构。

一种石墨烯导电薄膜制备工艺-202310132189.9
发明人：陈巧所 -专利权人：陈巧所
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C16/02
摘要：本发明涉及石墨烯导电薄膜加工，更具体的说是一种石墨烯导电薄膜制备工艺，包括以下步骤：步骤一：取片状铜箔通过石墨烯导电薄膜制备装置水平运输；步骤二：铜箔上待加工位置到达加工点停止水平运输；步骤三：通过冲压的方式使铜箔上形成凹凸面，随后对铜箔进行清洗；步骤四：采用金属基底化学气相沉积法制备铜基的石墨烯导电薄膜。目的是使基材能够贴附在异性结构上。

使用大气等离子体的斜面蚀刻器-202211317389.3
发明人：须佐圭雄;菊地良幸 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C16/02
摘要：一种蚀刻衬底斜面边缘的方法。该方法包括在薄膜已经沉积在衬底的顶表面上之后，提供具有斜面边缘的衬底，并围绕其中心轴线旋转衬底。该方法还包括，在旋转过程中，通过将大气等离子体流引导到斜面边缘上来蚀刻斜面边缘。该大气等离子体流平行于衬底的顶表面，比如正交于包含被大气等离子体蚀刻的斜面边缘区域的平面，该大气等离子体可以是O2大气等离子体。在与衬底外径间隔开的半径处，执行蚀刻而不损失顶表面上的薄膜厚度。衬底可以是硅(Si)晶片，薄膜可以是碳膜、无定形碳、SiC、SiO或SiN。

粉体的成膜方法、粉体成膜用容器和ALD装置-201980048885.3
发明人：佐藤英儿;坂本仁志 -专利权人：新烯科技有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C16/02
摘要：粉体的成膜方法具有下述工序：分散工序，将容纳有粉体P的容器(10)设置于分散装置主体(110)，利用分散装置主体(110)使容器(10)内的粉体(P)分散；ALD工序，将从分散装置主体(100)取出的容器(10)以能够导入和排出气体的状态设置于ALD装置主体(201)，导入用于在容器(10)内实施ALD循环的气体而充满容器(10)内，之后将上述气体排气，使粉体(P)的表面成膜。

确定二维材料生长合金催化剂中金属原子最佳配比的方法-202110282908.6
发明人：程传同;李刘杰;陈弘达;黄北举 -专利权人：江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C23C16/02
摘要：本发明揭示了一种确定二维材料生长合金催化剂中金属原子最佳配比的方法。本发明提供的方法能够在绝缘衬底上形成一层金属原子配比渐变的合金催化剂层，并以该合金催化剂层作为二维材料的生长基底，然后根据该合金催化剂层上二维材料生长质量最佳的位置处的金属原子配比，来快速确定二维材料生长合金催化剂中金属原子的最佳配比，该方法相较于现有技术能够显著的提高效率，减少实验次数。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[发明专利]气相表面改性在审

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