[发明专利]胶体二氧化硅及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202080019493.7 申请日: 2020-02-26
公开(公告)号: CN113544093A 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 大槻英希;道胁良树;根岸佑马;千叶年辉 申请(专利权)人: 扶桑化学工业株式会社
主分类号: C01B33/141 分类号: C01B33/141
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;吕秀平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种以高纯度含有致密性优异、每单位面积的烷氧基量高的异形化二氧化硅颗粒、且研磨性优异的胶体二氧化硅、以及能够容易地制造该胶体二氧化硅且能够降低制造成本的制造方法。本发明提供一种胶体二氧化硅,其特征在于:含有具有弯曲结构和/或分支结构的二氧化硅颗粒,上述二氧化硅颗粒的真比重为1.95以上,上述二氧化硅颗粒的烷氧基的含量m(ppm)与平均一次粒径n(nm)之比(m/n)的值为200以上,在由扫描型电子显微镜观察到的在20万倍的任意视野内的颗粒个数中,包含15%以上的具有弯曲结构和/或分支结构的二氧化硅颗粒。
搜索关键词: 胶体 二氧化硅 及其 制造 方法
【主权项】:
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  • 黄培伟;康利彬;康东岳;王俊林;刘全富 - 山东金亿达新材料有限公司
  • 2021-12-23 - 2022-05-13 - C01B33/141
  • 本发明公开一种化学抛光用硅溶胶的制备方法和应用,属于半导体化学抛光材料技术领域。本发明采用传统硅酸水解法和硅粉水解法相结合的方法制备进行硅溶胶造粒,原材料容易获得,制备工艺流程可量产化,无需进行设备改造,大大节约成本及人工培训成本。在造粒过程中引入硅粉硅粉作为硅源,能使造粒用种子粒子平均密度更高,有利于增大表面活化能,有利于再次粒子增长。制得大粒径硅溶胶粒子硬度更高,在终端应用过程中表现出更高的表面能,抛光速率更高,粒子的耐受性更强。本发明得到的硅溶胶颗粒平均粒径在100纳米左右,稳定性好,无团聚,应用于化学抛光,抛光速率快,去除率高,可大幅提升抛光效率。
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