[发明专利]具有间隙和下部封闭元件的用于沉积反应器的反应室和反应器在审

专利信息
申请号: 202080007298.2 申请日: 2020-01-07
公开(公告)号: CN113227449A 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: 弗朗西斯科·科里亚;D·克里帕;毛里利奥·梅斯基亚;西尔维奥·佩雷蒂;徳田雄一郎 申请(专利权)人: 洛佩诗公司;株式会社电装
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C30B23/06;C30B29/36
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 张瑞;杨明钊
地址: 意大利米*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 反应室(100)被用于在基底上沉积半导体材料的层的沉积反应器;反应室包括管(110),管由石英制成并且具有圆柱形的形状,并且适于在使用中被定位成使得其轴线(111)是竖直的;管(110)具有圆柱形的内部间隙(112),内部间隙沿着管(110)的整个长度延伸并且适于容纳流动的液体;室(100)还包括的环形的封闭元件(120),封闭元件由石英制成并且固定到管(110)的第一下端,以便封闭间隙(112),防止液体在底部处从间隙流出;在顶部处,封闭元件(120)具有面向间隙(112)的环形凹部(122),使得流动的液体可在底部处到达凹部(122);室(100)还包括间隙(112)内部的一组内部导管(130),其中所述内部导管(130)从管(110)的第一下部区域延伸直到管(110)的第二上部区域,以便于流动的液体在间隙(112)中的循环。
搜索关键词: 具有 间隙 下部 封闭 元件 用于 沉积 反应器 反应
【主权项】:
暂无信息
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  • 本申请涉及一种炉管装置,炉管装置包括反应容器、收集容器以及温控组件,温控组件包括连接管、温控部、第一采集部以及第一控制器,温控部包覆于连接管,第一采集部镶嵌于温控部内并被配置为采集连接管的第一温度信息,第一控制器被配置为根据第一温度信息调节温控部的温度,以使连接管的温度在预设阈值范围内。本申请实施例能够更精准的控制连接管的温度,从而提高炉管装置的运行效率及安全可靠性。
  • 半导体器件的加工方法、装置、处理器和半导体加工设备-202311051517.9
  • 朱人伟;杨军 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-08-21 - 2023-09-19 - C23C16/44
  • 本申请提供了一种半导体器件的加工方法、装置、处理器和半导体加工设备,该方法包括:在半导体器件完成沉积工艺后,向反应室中通入预定气体,以使得反应室的温度保持在预设范围内,反应室为沉积工艺后的半导体器件所在的腔室,预定气体为导热系数大于预定值的气体,且预定气体不与半导体器件发生反应;在通入预定气体的过程中,分阶段去除反应室中的残余反应物,残余反应物为沉积工艺生成的反应物。本申请解决了现有技术中等离子体设备关闭后,残余气体去除的过程容易造成半导体器件缺陷的问题。
  • 一种圆管外壁镀膜装置-202310753987.3
  • 龚恒翔 - 重庆理工大学
  • 2023-06-25 - 2023-09-19 - C23C16/44
  • 本发明公开了一种圆管外壁镀膜装置,包括第一安装板,该第一安装板上滑动连接有第二安装板和样品管组件,第二安装板上滑动连接有第三安装板和第四安装板,第四安装板上设雾化源组件,第三安装板上设加热组件;加热组件包括第一支架,第一支架上设加热管,加热管从外向内依次包括加热体外管、加热体内管、双螺旋硅碳棒和导气管,导气管的一端与输入风机连通,其另一端连接气体喷嘴,气体喷嘴正对样品管组件的样品管,第二安装板的移动方向与所述样品管的轴心线相平行。本方案采用了气体加热方式,利用高温气体实现样品管镀膜区域的制备温度,对待镀膜样品的适应性更强。
  • 清洁方法、存储介质、驱动电路及半导体加工设备-202211149178.3
  • 孙晓波 - 拓荆科技股份有限公司
  • 2022-09-21 - 2023-09-19 - C23C16/44
  • 本发明提供了一种反应腔的清洁方法、计算机可读存储介质、反应腔的驱动电路及半导体的加工设备。所述反应腔的清洁方法包括以下步骤:经由远程等离子体系统对所述反应腔进行初步清洁处理;对所述反应腔进行所述初步清洁处理及搅拌清洁处理的叠加处理,其中,所述搅拌清洁处理是由交替进行的顶部射频清洁处理和侧方射频清洁处理组成;以及终止所述初步清洁处理及所述顶部射频清洁处理,以对所述反应腔进行所述侧方射频清洁处理。
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