[发明专利]磁性存储单元及磁性存储单元的存内计算方法在审

专利信息
申请号: 202011643846.9 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN114694706A 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 李州;石以诺;孟皓 申请(专利权)人: 浙江驰拓科技有限公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16;G11C11/56
代理公司: 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 代理人: 孙峰芳
地址: 311300 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供一种磁性存储单元及存内计算方法。所述磁性存储单元包括:自旋轨道矩提供层及其上方的磁性隧道结,与磁性隧道结同侧或不同侧的磁性偏置层,磁性隧道结上方的氧化层和顶电极,以及用于提供写入信号的四个端子,第一端子连接至自旋轨道矩提供层一端并配置为施加第一写入信号,第二端子连接至自旋轨道矩提供层另一端并配置为施加第二写入信号,第三端子连接至顶电极并配置为施加第三写入信号,第四端子连接至自旋轨道矩提供层底端并配置为连接开关器件后接地。本发明的磁性存储单元可实现存内计算。
搜索关键词: 磁性 存储 单元 计算方法
【主权项】:
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