[发明专利]一种发光二极管及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202011613422.8 申请日: 2020-12-30
公开(公告)号: CN112635629A 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 朱酉良;蒋振宇;闫春辉 申请(专利权)人: 深圳第三代半导体研究院
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/00
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 李庆波
地址: 518000 广东省深圳市龙*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请涉及半导体技术领域,具体公开了一种发光二极管及其制造方法,该发光二极管包括:外延层,外延层包括层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层;第一电极层,设置于外露的第一半导体层上,并与第一半导体层电连接;绝缘层,覆盖于第一电极层以及台面结构上,且设置有用于外露台面结构内的第二半导体层的通孔;第二电极层,覆盖于绝缘层上,以通过绝缘层与第一电极层和第一半导体层电性隔离,第二电极层进一步延伸至通孔内,进而与第二半导体层电连接。通过上述方式,本申请能够减小第一电极层与第二电极层之间的台阶高度差,避免发光二极管之间的金属搭桥在串并联应用时发生断裂,使串并联结构更加可靠。
搜索关键词: 一种 发光二极管 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳第三代半导体研究院,未经深圳第三代半导体研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011613422.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 发光二极管及发光装置-202280006116.9
  • 林凡威;张博扬 - 厦门三安光电有限公司
  • 2022-10-27 - 2023-10-27 - H01L33/38
  • 本发明提供一种发光二极管及发光装置。发光二极管至少可包括:外延结构,具有相对的第一表面和第二表面,自第一表面至第二表面包含依次堆叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层;第一半导体层远离发光层一侧的表面上至少依序设有第一电连接层、第一绝缘层、第一金属反射层、阻挡层;第一电极,部分设置于第一电连接层上,与第一半导体层电性连接。在第一电极的区域处,在外延结构的发光区的边缘线的外侧,第一电极的边缘线与阻挡层的边缘线之间的间距小于第一电极的边缘线与外延结构的发光区的边缘线之间的间距,以减少第一电极与外延结构邻近的拐角区域的电流集中,提升芯片产品良率和整体性能。
  • 一种LED芯片及其制作方法-202311167970.6
  • 李晓静;黄璐;乔元鹏;许宗琦;马英杰 - 扬州乾照光电有限公司
  • 2023-09-11 - 2023-10-27 - H01L33/38
  • 本申请提供了一种LED芯片及其制作方法,该制作方法包括:形成LED芯片的堆叠结构,堆叠结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层,第一半导体层和第二半导体层的掺杂类型相反;在第一半导体层背离第二半导体层的一侧形成凹槽,凹槽延伸至第二半导体层;形成电极结构,电极结构包括:第一电极,位于第一半导体层背离第二半导体层的一侧,且与第一半导体层电连接;第二电极,位于凹槽内,与第二半导体层电连接;其中,凹槽设置有隔离结构,隔离结构用于增大第二电极到第一电极的电流路径。该隔离结构能对电起到一定的阻挡作用,从而避免电流集中在靠近第二电极的一侧,提高电流分布的均匀性,降低LED芯片的损耗,提高了LED芯片的发光效率。
  • 发光二极管及发光装置-202210389394.9
  • 王晶;杨洋;张昀 - 泉州三安半导体科技有限公司
  • 2022-04-13 - 2023-10-27 - H01L33/38
  • 本发明提供一种发光二极管,其包括外延结构、第一接触电极、第二接触电极以及高阻层,外延结构自下表面至上表面依次包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层,第一接触电极与第二接触电极均位于外延结构的上表面上,且分别电连接第一半导体层和第二半导体层,高阻层是自外延结构的上表面向下延伸至第一半导体层,外延结构内具有渗透电区,渗透电区至少与发光层和第二半导体层处于同一水平面,渗透电区的边界接触高阻层,第一接触电极位于渗透电区上,并通过渗透电区电连接第一半导体层。借此,可以使得第一接触电极和第二接触电极处于同一水平面,消除二者的高低差,得到平衡对称结构的发光二极管,提升产品良率。
  • 一种Mini-LED芯片-202321107219.2
  • 林志伟;陈凯轩;何剑;蔡建九;尤翠萍 - 厦门乾照光电股份有限公司
  • 2023-05-10 - 2023-10-27 - H01L33/38
  • 本实用新型提供一种Mini‑LED芯片,该Mini‑LED芯片包括:透明衬底,透明衬底包括相对设置的第一表面和第二表面,第二表面为出光面;以及反射层,其设置于第二型半导体层背离有源区的一侧表面,并与外延结构的外围侧壁及凹槽的侧壁间隔设置;结合绝缘层,其覆盖外延结构、透明衬底及部分反射层的裸露面,绝缘层包括DBR反射结构层,既可保护芯片不被水汽侵入防止芯片短路,又有反射效果使芯片为单面出光,且只从第二表面出光,解决芯片侧壁漏光的问题,进而提高Mini‑LED芯片的出光效率,避免Mini‑LED芯片用在显示器背光源时出现漏光现象。
  • 新型反射结构、GaN基LED芯片及其制备方法-202310870051.9
  • 赖奕彬;金力;喻文辉;杨杰 - 晶能光电股份有限公司
  • 2023-07-17 - 2023-10-24 - H01L33/38
  • 本发明提供了一种新型反射结构、GaN基LED芯片及其制备方法,其中,新型反射结构包括:介电反射层,由介电材料形成有第一区域和第二区域,第一区域和第二区域于介电反射层的边缘处相接形成一台阶状结构;台阶状结构中,位于第一区域的介电反射层包括第一表面,位于第二区域的介电反射层包括第二表面,且第一表面高度大于第二表面高度;金属反射层,形成于介电反射层的第二区域表面。其通过将介电反射层边缘区域形成台阶状结构,且形成第一透明导电层后,在台阶状结构第三表面和第一透明导电层的侧边之间形成空隙,以此避免在光刻胶侧壁大量堆积甚至出现毛刺的现象,降低芯片可能出现的漏电风险。
  • 高压紫外发光二极管及发光装置-202210351829.0
  • 曾明俊;彭康伟;林素慧;江宾;张中英 - 厦门三安光电有限公司
  • 2022-04-02 - 2023-10-24 - H01L33/38
  • 本发明提供一种高压紫外发光二极管,其包括衬底和多个发光结构,多个发光结构设置在衬底上且相互之间电性连接,各发光结构包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一接触电极和第二接触电极,第一半导体层位于衬底与发光层之间,发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间,第一接触电极位于第一半导体层之上,第二接触电极位于第二半导体层之上,其中,俯视来看,各发光结构的第二接触电极具有四个边,四个边在一个环绕方向上依次定义为第一边、第二边、第三边和第四边,第一接触电极至少围住四个边中的三个边。借此设置,可以改善高压紫外发光二极管的光衰特性和电光转换效率,提升紫外发光二极管的可靠性,加强杀菌消毒能力。
  • 具有来自侧电极的优化的电注入的发光二极管-202310345061.0
  • D·沃弗里;T·曼德龙;C·勒莫特 - 法国原子能源和替代能源委员会
  • 2023-03-31 - 2023-10-17 - H01L33/38
  • 一种具有来自侧电极的优化的电注入的发光二极管,其中该发光二极管(100)包括:‑第一电极(102);‑第一层(104)半导体,掺杂成第一导电类型;‑第二层(108)半导体,掺杂成第二导电类型;‑辐射复合区(114),布置在第一层和第二层之间或其界面处;‑第三层(118)半导体,掺杂成第二导电类型;‑第四层(120)半导体,布置在第二层与第三层之间;‑第二电极(124),布置成抵靠第三层的侧面(126)并且抵靠第四层的侧面(128)的仅一部分;并且其中第四层(120)相对于第三层形成至少100兆电子伏的能垒。
  • 发光元件-202310352591.8
  • 陈昭兴;林羿宏;洪千雅 - 晶元光电股份有限公司
  • 2023-04-04 - 2023-10-17 - H01L33/38
  • 本发明公开一种发光元件,包含一基板;一第一半导体层以及一半导体平台位于第一半导体层上,半导体平台包含一第二半导体层,以及一活性层位于第一半导体层与第二半导体层之间;多个开口穿过半导体平台以露出第一半导体层;多个第一电极分别位于多个开口中的第一半导体层上而未覆盖半导体平台;一第二电极位于第二半导体层上而未覆盖位于多个开口中的第一半导体层;多个第一电极垫仅位于多个开口中的第一半导体层上而未覆盖半导体平台;以及一第二电极垫仅位于半导体平台上而未覆盖位于多个开口中的第一半导体层,其中多个第一电极垫的一第一表面高于第二电极垫的一第二表面,且第一表面与第二表面之间包含一阶差小于2μm。
  • 倒装微型LED芯片、显示面板及其制作方法-202210048117.1
  • 尹红山;唐诗;陈都 - TCL华星光电技术有限公司
  • 2022-01-17 - 2023-10-17 - H01L33/38
  • 本申请提供了一种倒装微型LED芯片、显示面板及其制作方法。倒装微型LED芯片包括衬底、第一半导体层、第一电极、发光层、第二半导体层和第二电极。第一半导体层设于衬底的一侧。第一电极设于第一半导体层背离衬底的一侧。发光层设于第一半导体层背离衬底的一侧,并与第一电极间隔设置。第二半导体层设于发光层背离第一半导体层的一侧。第二电极设于第二半导体层背离发光层的一侧,且第二电极远离第二半导体层的一面为弧面,倒装微型LED芯片的重心位于第二电极中。即本申请的倒装微型LED芯片具有“不倒翁效应”,从而使倒装微型LED芯片在转移过程中能够自动纠正自身的位置,有效解决芯片在转移过程中的出光方向偏移问题,进而提高转移准确率。
  • 微显示器件及其制备方法-202310857113.2
  • 王晓楠;顾银冬;孙志鹏;张庆;张盼盼;庄永漳 - 镭昱光电科技(苏州)有限公司
  • 2023-07-13 - 2023-10-13 - H01L33/38
  • 本申请公开了一种微显示器件及其制备方法,属于微显示技术领域,该微显示器件通过将N型半导体层与驱动电极电性连接、P型半导体层通过透明电极层与公共电极电性连接,形成共阳极结构,并且N型半导体层相对于P型半导体层更靠近驱动基板,使得位于N型半导体层和P型半导体层之间的有源层发出的光线通过P型半导体层向外出射,从而出射光的光程路径远小于通过N型半导体层出射的光程路径,因而能够减少光的吸收衰减,降低光学损耗,提升微显示器件的发光效率。
  • 发光二极管-202310858343.0
  • 黄秀丽;王月娇;于艳玲;吴佳楠;张中英;蔡吉明;黄少华 - 泉州三安半导体科技有限公司
  • 2023-07-13 - 2023-10-13 - H01L33/38
  • 本申请提供了一种发光二极管,该发光二极管包括外延结构、反射结构、连接电极、中间电极以及焊盘电极。其中,连接电极包括第一连接电极和第二连接电极,中间电极包括第一中间电极和第二中间电极,焊盘电极包括第一焊盘和第二焊盘。本申请通过在第一连接电极与第一焊盘之间设置第一中间电极,以及在第二连接电极与第二焊盘之间设置第二中间电极,利用中间电极提高焊盘电极与外部电极进行热压焊固晶过程中的稳定性,有效降低了现有技术中发光二极管在热压焊固晶过程中金锡合金与连接电极合金化导致发光二极管失效的风险。
  • 微型LED芯片、显示模组及显示器-202223318179.4
  • 邱成峰;莫炜静 - 深圳市思坦科技有限公司
  • 2022-12-09 - 2023-10-13 - H01L33/38
  • 本实用新型实施例公开了一种微型LED芯片、显示模组及显示器,该微型LED芯片包括第一芯片、第二芯片、键合件和金属件,第一芯片包括第一本体,以及连接于第一本体上的第一侧电极,第二芯片包括第二本体,以及连接于第二本体上的第二侧电极,第一侧电极与第二侧电极相对设置,键合件连接第一侧电极和第二侧电极,以使第一芯片和第二芯片之间能够通过电流,金属件设于第一侧电极和第二侧电极之间,并用于与键合件相套接,使得键合件与金属件之间有一定的接触面积,以使金属件与键合件不易分离,并且,由于金属件限制了固化的键合件,使得键合件固化的更加紧密,从而进一步增加了键合强度。
  • 半导体芯片及其制造方法-201811532311.7
  • 黄瑄;李俊贤;刘英策;魏振东;邬新根;周弘毅 - 厦门乾照光电股份有限公司
  • 2018-12-14 - 2023-10-10 - H01L33/38
  • 本发明公开了一半导体芯片及其制造方法,其中所述半导体芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极,其中所述N型电极的一列N型电极连接针中的至少一个所述N型电极连接针的截面尺寸与其他的所述N型电极连接针的截面尺寸不同,所述P型电极的一列P型电极连接针中的至少一个所述P型电极连接针的截面尺寸与其他的所述P型电极连接针的截面尺寸不同,通过这样的方式,自所述N型电极和所述P型电极注入的电流能够均匀地分布于所述半导体芯片,从而改善电流扩展死角的问题,以提高所述半导体芯片的发光效率。
  • 一种通照两用的深紫外LED-202320166866.4
  • 王文樑;赖全光 - 华南理工大学
  • 2023-02-06 - 2023-10-03 - H01L33/38
  • 本实用新型涉及深紫外LED的技术领域,公开了一种通照两用的深紫外LED,包括从下到上依次排列分布的导电衬底、第一键合金属层、第二键合金属层、绝缘层、P接触反射镜金属及保护层、p型GaN层、AlGaN多量子阱层、n型GaN层;嵌入式柱状N电极沉积于嵌入式柱状N电极通道内;嵌入式柱状N电极的上表面与n型GaN层形成欧姆接触;柱状P电极沉积于柱状P电极通道;柱状P电极的底端位于LED芯片底部。本实用新型将柱状P电极制作于LED芯片底部,避免了因制作电极而损失一部分发光面积,有效提升芯片的光输出功率;同时,采用渐变Al组分结构的AlGaN多量子阱层,有效提高了内量子效率和光输出效率。
  • 一种倒装发光二极管芯片及其制备方法-202310887079.3
  • 李文涛;鲁洋;林潇雄;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-07-19 - 2023-09-29 - H01L33/38
  • 本发明涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法,至少包括衬底及依次层叠在衬底上的N型半导体层、有源发光层、P型半导体层,P型半导体层上层叠有电流扩展层,P型半导体层与电流扩展层之间设有P型电极,N型半导体层设有N型半导体导电台阶,N型半导体导电台阶上设有N型电极;P型电极包括沿芯片生长方向依次层叠的反射层、保护层、导电层、过刻蚀层、欧姆接触层,反射层为Al层,保护层为Ni层与Pt层或Ti层与Pt层周期性层叠的结构,导电层为Au层或者Cu层,过刻蚀层为Ni层、Ti层、Pt层中任意一种,欧姆接触层为Cr层或Ni层。本发明能够有效提高LED芯片的发光亮度,降低其工作电压。
  • 一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法-202311074074.5
  • 张晓娜 - 山西中科潞安紫外光电科技有限公司
  • 2023-08-24 - 2023-09-29 - H01L33/38
  • 本发明属于芯片制备技术领域,具体涉及一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法,包括蓝宝石衬底、氮化铝模板层、AlN/AlGaN超晶格应力缓冲层、n型AlGaN层、n型欧姆接触电极、多量子阱结构层、电子阻挡层、p型AlGaN层、p型电极,所述蓝宝石衬底上生长有氮化铝模板层,所述氮化铝模板层上生长有AlN/AlGaN超晶格应力缓冲层。本发明的p型电极在形成第一p型欧姆接触电极时保证了低的接触电阻率;本发明的第二p型扩大电极的面积大于第一p型欧姆接触电极的结构设计,克服了第一p型欧姆接触电极边缘电荷集中的问题,保证了芯片的可靠性。本发明用于LED倒装芯片的制备。
  • 一种Micro LED封装结构及其制备方法-201810788191.0
  • 刘国旭;申崇渝;黄志勇 - 易美芯光(北京)科技有限公司
  • 2018-07-18 - 2023-09-29 - H01L33/38
  • 本发明公开了一种Micro LED封装结构,包括CMOS结构,发光二极管,用于连接所述CMOS结构和所述发光二极管的锡膏,以及设置在所述发光二极管上表面的透明保护层;所述发光二极管包括P极,间隔设置在所述P极下方的N极,以及设置在所述P极下表面和N极上表面之间的量子阱;所述N极和P极之间形成的空隙处设有一层用于提高所述发光二极管发光效率的绝缘物质。本发明的Micro LED为共P分N的结构,不仅有效的避免共N型结构存在的先Bonding再刻蚀所带来的对CMOS结构的影响;而且有效解决了分离LED芯片进行巨量转移所带来的精度问题以及释放难题;而且本发明的Micro LED封装结构能有效提高微米芯片的光效、导电性和透光性。
  • 发光二极管及发光装置-202310716701.4
  • 曾炜竣;张中英;臧雅姝;江宾;陈思河;龙思怡 - 厦门市三安光电科技有限公司
  • 2021-12-06 - 2023-09-22 - H01L33/38
  • 本发明提供一种发光二极管,其包括衬底、外延结构、第一接触电极、第二接触电极和第一金属结构,外延结构位于衬底的上表面,并包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层,第一凹槽是自第二半导体层贯穿至第一半导体层,第二凹槽是自第一半导体层向衬底延伸,第一半导体层于第二凹槽处具有第一侧壁,第一接触电极至少覆盖部分第一侧壁,第二接触电极位于外延结构上,并电连接第二半导体层,第一金属结构覆盖第一接触电极和第一半导体层的上表面,从发光二极管的上方朝向外延结构俯视,第二凹槽位于第一凹槽的内部。借此设置,既可以提升发光二极管的出光效率,还可降低整体操作电压。
  • 显示面板及显示装置-202310798312.0
  • 翟应腾;席克瑞;贾振宇 - 天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司
  • 2023-06-30 - 2023-09-22 - H01L33/38
  • 本公开涉及一种显示面板及显示装置,属于显示技术领域。该显示面板包括多个子像素单元,所述子像素单元对应设置有主用电极;所述子像素单元包括第一子像素单元和第二子像素单元;所述第一子像素单元对应设置有n个备用电极;所述第二子像素单元对应设置有m个备用电极;其中,n<m,n、m为整数。该显示面板中包括备用电极数量不同的两种子像素单元,来应对不同情形的故障,在修复需求较低的位置设置备用电极数量较少的第一子像素单元,在修复需求较高的位置设置备用电极数量较多的第二子像素单元,从而解决了现有技术中备用电极的设置方式比较单一的技术问题。
  • 一种稻草人形N电极及垂直结构LED芯片-201710245310.3
  • 李国强;张云鹏;张子辰 - 华南理工大学
  • 2017-04-14 - 2023-09-22 - H01L33/38
  • 本发明公开了一种稻草人形N电极,包括插指和焊盘;所述焊盘为长方形;所述插指由中心区域插指及边缘多边形插指组成;所述边缘多边形插指同时为左右对称、上下对称结构;所述中心区域插指由一根垂直插指和两根平行插指组成;所述中心区域插指和焊盘相连组成稻草人形插指,所述稻草人形插指位于边缘多边形插指内部,所述边缘多边形插指与焊盘顶部长边相连,与垂直插指底部相连。本发明的稻草人形N电极,很大程度上改善了传统米字型、十字型N电极电流分布不均,吸光严重的问题。本发明还公开了一种垂直结构LED芯片,包括所述的稻草人形N电极,克服了横向结构LED芯片的电流拥挤的缺点,极大的改善了电流在芯片内传输的均匀性。
  • 一种提升发光亮度的LED芯片及其制备方法-202310880616.1
  • 张星星;周志兵;林潇雄;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-07-18 - 2023-09-19 - H01L33/38
  • 本发明公开了一种提升发光亮度的LED芯片及其制备方法,涉及半导体器件技术领域,该LED芯片包括衬底与外延层,外延层包括N型半导体层、多量子阱层与P型半导体层,LED芯片还包括N电极结构与P电极结构;N电极结构包括N型电极与N型焊盘,N型电极与N型焊盘依次层叠于N型半导体层上的N型绝缘层表面,N型绝缘层的中心与N型焊盘的中心重叠,且N型绝缘层的直径大于N型焊盘的直径;P电极结构包括P型电极与P型焊盘,P型电极与P型焊盘依次层叠于P型半导体层上的P型绝缘层表面,P型焊盘的直径大于或小于P型绝缘层的直径。本发明解决了现有技术中因电极结构限制使得发光区发光不充分,导致了LED芯片发光亮度低的技术问题。
  • 发光模组、显示装置及发光模组制造方法-202210238564.3
  • 刘光华 - 深超光电(深圳)有限公司
  • 2022-03-11 - 2023-09-19 - H01L33/38
  • 本申请提供一种发光模组,包括:基板,包括驱动电路,用于输出第一驱动信号;发光二极管,位于所述基板上且电连接所述驱动电路,所述发光二极管包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层,所述第一电极电连接所述驱动电路,用于接收所述第一驱动信号;透明电极,电连接于所述第二电极远离所述发光层的一侧,所述透明电极在所述基板上的投影面积大于所述第二电极在所述基板上的投影面积;以及导线,电连接所述透明电极,所述导线用于传输第二驱动信号,所述发光层用于根据所述第一驱动信号和所述第二驱动信号发射光源光。本申请还提供一种显示装置及一种发光模组制造方法。
  • 发光二极管及其制备方法-202310675611.5
  • 朱知音;王政卫;王绘凝;冯岩 - 华灿光电(浙江)有限公司
  • 2023-06-08 - 2023-09-19 - H01L33/38
  • 本公开提供了一种发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延叠层、电极和焊球,所述电极位于所述外延叠层上,所述电极具有第一表面和与所述第一表面相连的侧壁,所述电极的侧壁具有增阻结构,所述增阻结构包括凹槽和/或凸起,所述焊球与所述第一表面和所述增阻结构相连。本公开能提升焊球与电极的连接可靠性,防止出现焊球从电极上脱落的问题。
  • 显示设备-202310261230.2
  • 朴度昤;金璟陪;蔡锺哲 - 三星显示有限公司
  • 2023-03-14 - 2023-09-15 - H01L33/38
  • 显示设备包括彼此相邻的第一像素、第二像素和第三像素。第一像素、第二像素和第三像素中的每个包括:发光元件;连接电极,电连接到发光元件的端部;以及子电极,与连接电极在相同的层上且电连接到连接电极,并且第一像素的子电极中的一个电连接到第二像素的子电极中的一个。
  • 一种高光效Micro LED芯片-202310631774.3
  • 陶金;孟德佳;马青 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 2023-05-31 - 2023-09-15 - H01L33/38
  • 本发明涉及一种高光效Micro LED芯片,属于Micro LED芯片技术领域。解决了现有技术中Micro LED芯片的出光效率低,且散热效果有待进一步提升的技术问题。本发明的Micro LED芯片,包括PN结、第二电极、第一电极、介质层和透明电极;其中,PN结为N个,且均为倒梯形结构,固定在驱动电路基板的上表面上,且每个PN结通过一个第二电极与一个驱动电路基板的电极连接;第一电极为共电极,通过透明电极与N个PN结均连接,介质层将第一电极和第二电极隔离。该Micro LED芯片,通过倒梯形的电极反射,一方面调控了LED的出光角度,增加了LED的出光效率;另一方面增加了第一电极的面积,有效提高电流的扩展能力,提高了器件的散热效果。
  • 一种新型LED芯片制造方法-202210153077.7
  • 张宇;王世国;张振;黄文光 - 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
  • 2022-02-18 - 2023-09-15 - H01L33/38
  • 本申请提供一种新型LED芯片制造方法,在外延片中刻蚀出N‑GaN台阶,并依次进行附着电流阻挡层和透明导电层,并去掉电流阻挡层和透明导电层的多余附着部分。在基于透明导电层上匀上负性光刻胶,在负性光刻胶层上通过光刻板进行曝光,通过软烤,显影去除多余部分的负性光刻胶,附着一层电极金属层,在通过金属剥离技术去除多余部分的电极金属。电极金属层存在曝光图形状的无金属覆盖部分,在封装负电极打线焊接,负电极金属活性增大形变时,会向无金属覆盖部分进行挤压,以减小负电极向外部形变扩大的程度,避免负电极触碰MESA引发漏电,造成LED芯片焊线不良失效,提高LED芯片的工作效率和使用寿命。
  • 一种抗大电流冲击的芯片结构-202320281401.3
  • 黄章挺;张帆;郑高林 - 福建兆元光电有限公司
  • 2023-02-22 - 2023-09-15 - H01L33/38
  • 本实用新型涉及LED照明领域,尤其涉及一种抗大电流冲击的芯片结构,包括蓝宝石衬底,所述蓝宝石衬底上设有外延层,所述外延层设有电流阻挡层,所述外延层和电流阻挡层上设有ITO蒸镀层,所述ITO蒸镀层上设有P极电流扩展条,所述P极电流扩展条上设有DBR层,所述DBR层具有开孔,所述P极电流扩展条的外径自靠近DBR层开孔的一端向远离DBR层开孔的一端逐渐减小。本实用新型提供的抗大电流冲击的芯片结构,能有效提高芯片的电流冲击能力,满足芯片测试要求。
  • 一种Mini-LED芯片及其制作方法-202310520108.2
  • 林志伟;陈凯轩;何剑;蔡建九;尤翠萍 - 厦门乾照光电股份有限公司
  • 2023-05-10 - 2023-09-12 - H01L33/38
  • 本发明提供一种Mini‑LED芯片及其制作方法,其中Mini‑LED芯片包括:透明衬底,透明衬底包括相对设置的第一表面和第二表面,第二表面为出光面;以及反射层,其设置于第二型半导体层背离有源区的一侧表面,并与外延结构的外围侧壁及凹槽的侧壁间隔设置;结合绝缘层,其覆盖外延结构、透明衬底及部分反射层的裸露面,绝缘层包括DBR反射结构层,既可保护芯片不被水汽侵入防止芯片短路,又有反射效果使芯片为单面出光,且只从第二表面出光,解决芯片侧壁漏光的问题,进而提高Mini‑LED芯片的出光效率,避免Mini‑LED芯片用在显示器背光源时出现漏光现象。
  • 倒装发光二极管-202111057539.7
  • 黄敏;詹宇;夏章艮;洪灵愿;林素慧;张中英 - 泉州三安半导体科技有限公司
  • 2021-09-09 - 2023-09-08 - H01L33/38
  • 本申请公开了一种倒装发光二极管,包括半导体堆叠层,以及位于半导体堆叠层上的第一金属电极和第二金属电极,第一金属电极和第二金属电极均为无金叠层结构;无金叠层结构包括铝反射层、以及位于铝反射层上表面的至少一层铂金属层。本申请通过将第一金属电极和第二金属电极设置成无金叠层结构,能够避免第一金属电极和第二金属电极中的金层所导致的异常现象,且厚度较小,能够提升在电极表面上方的绝缘层的覆盖连续性以及焊盘的覆盖连续性,提高倒装发光二极管的可靠性。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top