[发明专利]一种防指纹镀膜方法、防指纹镀膜结构及显示装置在审

申请号：	202011603948.8	申请日：	2020-12-29
公开（公告）号：	CN112746264A	公开（公告）日：	2021-05-04
发明（设计）人：	李龙哲;夏伟;李添;李花;朱小凤	申请（专利权）人：	上海哈呐机电设备有限公司
主分类号：	C23C16/40	分类号：	C23C16/40;C23C16/50;C23C16/02;C23C14/24;C23C28/00;G02B1/18
代理公司：	上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251	代理人：	林晓青
地址：	201500 上海市金***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明涉及镀膜技术领域，公开了一种防指纹镀膜方法、防指纹镀膜结构及显示装置。该防指纹镀膜方法包括步骤：将基板放置在真空镀膜室，对真空镀膜室进行抽低真空；对基板进行等离子清洗，对真空镀膜室进行抽高真空；用等离子方式在基板上制备无机硅膜层，对真空镀膜室进行抽高真空；蒸发防指纹药丸，在无机硅膜层上形成防指纹层。通过等离子方式加入气态硅油，形成二氧化硅，后蒸发防指纹药丸，硅的成膜速率快，结构简单，产品生产面积大，生产效率高。本发明中，通过等离子方式加入气态硅油，通过化学沉积形成无机硅膜层，后蒸发防指纹药丸，无机硅膜层的成膜速率快，产品生产面积大，生产效率高。
搜索关键词：	一种指纹镀膜方法结构显示装置
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摘要：本发明公开了一种能够直接将液态三甲基铝作为原料供应的氧化铝膜制备装置。该装置包括真空沉积室，真空沉积室内设有石墨舟，真空沉积室上设有进气口与排气口，真空沉积室内设置有进气主管和排气主管，进气口上连接有用于通入制程气体的进气装置，通过对进气装置进行改进，增加蒸发器，先将液态的三甲基铝蒸发成气态后再用氩气裹带气态的三甲基铝并和一氧化二氮混合后进入真空沉积室即可，无需在进行镀膜之前事先对液态的三甲基铝进行气态话，减少了气态三甲基铝的存储和运输难题，直接在真空沉积过程中一边转化一边使用，其安全性大大提高，而且减少了工序和工人的工作量，提高了镀膜效率。适合在太阳能电池硅片加工设备领域推广应用。

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摘要：本发明涉及一种氧化铝复合涂层及其制备方法与切削装置，所述氧化铝复合涂层包括层叠设置的TA过渡层与α‑Al2O3层，其制备方法通过依次进行的化学气相沉积得到TA层、氧化处理得到TA过渡层以及化学气相沉积得到α‑Al2O3层，并控制各步骤中所用气体的用量比例，使最终所得α‑Al2O3层的织构系数TC(1 1 0)≥5，使其具有(1 1 0)的晶面择优，配合特定化学气相沉积条件得到的TA过渡层，使所得氧化铝复合涂层用于切削装置时，具有优良的抵抗刃口破损性能。

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摘要：本发明提供一种二氧化硅薄膜的低温沉积方法及器件制备方法。低温沉积方法包括步骤：S1：提供化学气相沉积腔室，对腔室抽真空至第一真空度，将腔室预热至不高于150℃的第一温度，预热过程中通入N2O气体，直至腔室内环境稳定；S2：将待沉积的衬底放入腔室内的基座上，对腔室抽真空至第二真空度，第二真空度高于第一真空度且第二真空度为2torr‑4torr，保持腔室内的温度为第一温度，然后通入流量为540sccm±10%的SiH4和流量为9500 sccm±10%的N2O作为反应源气体，将射频功率控制在190W‑690W，经预设时长后于衬底上沉积预设厚度的二氧化硅薄膜；S3：停止反应源气体SiH4和N2O的供应且关闭射频功率，对腔室抽真空至第一真空度后将衬底取出。本发明有助于提高二氧化硅薄膜的均一性、致密性和洁净度。

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申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C23C16/40
摘要：提供一种改善晶硅氧化铝绕镀的PECVD工艺，硅片进炉管后迅速抽真空、检漏，在硅片正面镀上一层薄的氮化硅，从而将正面绕镀的氧化铝快速保护起来，以改善绕镀在正面的氧化铝在炉管中被污染的情况；同时由于只做了一层较薄的氮化硅层，也避免了初期升温时间不够淀积氮化硅出现四周边缘色差的问题。

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申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C23C16/40
摘要：本发明公开了一种织构强化的κ‑Al2O3涂层工具，包括基体及涂覆在所述基体上的涂层；所述涂层包括至少一层κ‑Al2O3涂层，所述κ‑Al2O3涂层具有优先在(013)方向生长的显微组织结构，其织构系数TC大于2，所述织构系数TC的定义如下：#imgabs0#式中：I(hkl)为通过X射线衍射而测量到的(hkl)晶面的反射强度；I0为根据PDF卡号880107的衍射反射的标准强度；n为计算中所用的反射晶面的数目；所用的(hkl)反射晶面为(011)、(002)、(013)、(122)、(004)、(132)、(135)。还公开了一种织构强化的κ‑Al2O3涂层工具的制备方法。本发明的目的在于提供一种织构强化的κ‑Al2O3涂层工具，其具有良好的切削性能。

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摘要：本发明公开了一种纯相ε相氧化镓及其制备方法、纯相氧化镓厚膜生长方法，包括步骤：提供衬底；对所述衬底进行预处理，得到洁净衬底，并将所述洁净衬底置于反应腔室中；采用原子层沉积方法在所述洁净衬底上制备所述纯相ε相氧化镓。本发明通过采用原子层沉积(ALD)技术实现了纯相ε相氧化镓的生长，相比于现有技术中MOCVD、Mist‑CVD的方法，ALD能够精准控制表面化学反应，精确调控成核层晶相，实现可控的纯相氧化镓生长，并且ALD方法生长的氧化镓本身就具有低表面粗糙度，无需进行后加工，避免了加工带来的刻蚀损伤、元素污染等，采用原子层沉积技术生长的氧化镓薄膜能够做到原子级平整，表面粗糙度对于后续器件制作至关重要。

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摘要：本发明涉及电池电解质薄膜制备技术领域，且公开了一种以Mg离子稳定特征的Na‑Beta氧化铝电解质薄膜制备方法，具体步骤包括：获取前躯体金属原料并进行处理生成气态前躯体；将气化的液态前躯体原料送入反应区域中，通过化学气相沉积方法并于激活环境下对气化的液态前躯体原料进行激活并在反应区域中的基底上沉积目标薄膜；所述前躯体金属原料分别包括Na、Mg和Al金属有机复合物。该以Mg离子稳定特征的Na‑Beta氧化铝电解质薄膜制备方法，采用等离子体化学气相沉积法可激活气态前躯体原料，能有效降低合成温度，克服了由于Na的高饱和蒸气压造成的大量原料损耗，并且以Mg离子稳定了Na‑Beta氧化铝晶体结构，制备出的Na‑Beta氧化铝薄膜结构致密、稳定、离子电导率高。

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摘要：本发明提供了一种提高热处理控温准确性的方法、复合涂层和热处理反应装置。所述方法包括在热处理反应装置的一个或多个部件表面涂覆复合涂层；其中涂覆所述复合涂层包括在所述部件表面上涂覆第一涂层，以及在所述第一涂层上涂覆第二涂层。本发明的方法通过在热处理反应装置的部件表面涂覆复合涂层，使得在500℃以上的温区内快速升温或快速降温的时间偏差在0.01s以内，温度偏差在3℃以内。

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摘要：本发明提供了一种硅氮聚合物的固化方法，用于在二氧化硅薄膜制备工艺中固化流动的硅氮聚合物以将其中的硅氮键转化为硅氧键，该固化方法包括：在待固化的该硅氮聚合物上照射紫外线UV光，控制UV照射时间短于300s；以及照射紫外线UV光的同时，向该硅氮聚合物表面通入臭氧气体。

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摘要：本发明公开了一种双面镀膜结构石墨舟的镀膜方法，包括如下步骤：将硅片粗抛、制绒，制绒后绒面尺寸≤5μm；清洗后烘干或甩干，接着进行硼扩发射极的制备，并进行刻蚀；沉积氧化硅、本征多晶硅；对硅片进行高温处理，并进行磷掺杂；然后对处理后的硅片进行绕镀清洗；将石墨舟舟片上设置底座卡点，底座卡点的高度为1‑8毫米，将硅片放置在石墨舟舟片上的底座卡点上；通过沉积ALD氧化铝等其他相关钝化介质层的方式在所述的硅片表面形成薄膜；通过PECVD镀膜方式对硅片进行双面沉积SiNx等其他相关钝化介质层。本发明采用双面沉积ALD氧化铝，较传统方式转化效率明显提升，PECVD镀膜方式双面沉积SiNx较传统方式产能大幅提升。

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摘要：公开了形成包括氧化锗的涂覆膜的方法。在一些实施例中，所述膜对于基板的表面上的特征是超保形的。通过将基板表面同时暴露于锗烷前驱物和氧化剂来沉积所述膜。锗烷前驱物可间歇地流动。基板也可暴露于第二氧化剂以增加超保形膜内氧的相对浓度。

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摘要：本发明公开了一种钢铁表面耐磨绝缘复合涂层及其制备方法，涉及金属材料表面处理技术领域，该耐磨绝缘复合涂层包括石墨烯‑纳米TiN内层和纳米Al2O3外层，石墨烯‑纳米TiN内层的厚度为0.01‑1000μm，纳米Al2O3外层的厚度为0.01‑10000μm，其中，石墨烯‑纳米TiN内层由石墨烯和粒径为50‑300nm的TiN晶粒组成，石墨烯的含量为0.01‑1wt％，纳米Al2O3外层由粒径为250‑550nm的Al2O3晶粒组成，该耐磨绝缘复合涂层采用两步化学气相沉积法制备得到，与钢铁基体之间呈现强冶金结合，涂层致密均匀、结构可控，可以显著提升钢铁材料的耐磨性能及绝缘性能，延长其使用寿命并拓展其应用领域。

新型化合物、包含其的前体组合物和利用其的薄膜的制造方法-202180080627.0
发明人：朴珉星;金孝淑;任民赫;昔壮炫;朴正佑 -专利权人：韩松化学株式会社
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C16/40
摘要：本发明涉及能够通过气相蒸镀来进行薄膜蒸镀的气相蒸镀化合物，具体而言，涉及能够应用于原子层蒸镀法(Atomic Layer Deposition，ALD)或化学气相蒸镀法(Chemical Vapor Deposition，CVD)且反应性、挥发性和热稳定性优异的新型化合物、包含上述新型化合物的前体组合物、利用上述前体组合物的薄膜的制造方法以及由上述前体组合物制造的薄膜。

一种010择优取向的β-Ga2-202211280072.7
发明人：章嵩;涂溶;李宝文;徐青芳;张联盟;李志荣 -专利权人：武汉理工大学;广东汇成真空科技股份有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C16/40
摘要：本发明涉及一种010择优取向的β‑Ga2O3薄膜的制备方法，具体步骤如下：1)将玻璃基板预处理后放入沉积腔体内，并将沉积腔体抽真空至10Pa以下；2)向沉积腔体内通入稀释气体使沉积腔体内达到沉积压强，关闭稀释气体，然后将原料罐内前驱体加热至升华温度，打开激光照射玻璃基板表面，使玻璃基板达到沉积温度，同时向沉积腔体内通入载气和反应气进行沉积，在玻璃基板上沉积得到β‑Ga2O3薄膜。本发明采用激光化学气相沉积法，通过调整实验参数控制薄膜的取向，在低成本的石英玻璃基板表面成功制备出010择优取向的β‑Ga2O3多晶薄膜，对于拓宽β‑Ga2O3多晶薄膜的应用范围具有十分重要的意义。

薄膜的制造方法-202180077611.4
发明人：西田章浩;畑濑雅子;吉野智晴;大江佳毅;满井千瑛 -专利权人：株式会社ADEKA
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C16/40
摘要：本发明提供一种薄膜的制造方法，其是通过原子层沉积法在基体的表面制造含有铪原子的薄膜的方法，其包括以下工序：工序1：使将含有下述通式(1)表示的铪化合物的薄膜形成用原料气化而成的原料气体吸附在所述基体的表面而形成前体薄膜；工序2：排出未反应的原料气体；以及，工序3：在300℃以上且小于450℃的温度下使所述前体薄膜与反应性气体反应而在所述基体的表面形成含有铪原子的薄膜。(式中，R1和R2各自独立表示氢原子或碳数1～3的烷基，R3和R4各自独立地表示碳数1～3的烷基。)

共形氧化硅膜沉积-202180071902.2
发明人：沈泽清;戚波;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C16/40
摘要：描述了在基板上沉积含硅膜的方法。所述方法包括将处理腔室加热至大于或等于200℃的温度；将处理腔室维持在小于或等于300托的压力；将硅前驱物与氧化亚氮(N2O)共同流入处理腔室；以及在基板上沉积共形含硅膜。含硅膜具有在从约3.8至约4.0的范围内的介电常数(k值)，具有在1mA/cm2的漏电流下的大于8MV/cm的击穿电压，并且具有在2MV/cm下的小于1nA/cm2的漏电流。

精确测量低二次电子发射系数材料最薄贡献厚度的方法-202210473415.5
发明人：王玉漫;刘术林;孙志嘉;闫保军;周健荣;衡月昆;蒋兴奋;张斌婷;韦雯露;姚文静;彭华兴;谭金昊 -专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C23C16/40
摘要：本发明公开了一种精确测量低二次电子发射系数的材料最薄贡献厚度的方法，属于材料表征领域，包括如下步骤：S1、首先选择衬底材料，并超过其最薄贡献厚度；S2、先将衬底材料放入原子层沉积设备中的反应腔室进行沉积，制得样品；S3、然后将样品放入二次电子测试系统中测量；S4、获得循环数和二次电子发射产额的对应关系，确定最少循环数；S5、最后在硅衬底上生长最少循环次数的目标材料，进行薄膜厚度测量；本发明通过选择相对目标材料二次电子发射系数高的材料作为衬底，通过原子层沉积方法控制循环数从而获得低二次电子发射系数材料最薄贡献厚度的最少循环数，在硅衬底上复现出薄膜进行厚度的测量，从而获得精确的低二次电子发射系数材料最薄贡献厚度。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[发明专利]一种防指纹镀膜方法、防指纹镀膜结构及显示装置在审

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