[发明专利]沟槽型碳化硅逆阻MOSFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202011590914.X | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112687743B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 张金平;王鹏蛟;兰逸飞;刘竞秀;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及一种沟槽型碳化硅逆阻MOSFET器件及其制备方法。本发明相对于传统的沟槽型碳化硅MOSFET，去掉了其N型碳化硅衬底，在器件源区一侧引入了第一N型碳化硅缓冲层，在器件漏区一侧引入了第二N型碳化硅缓冲层，并且在器件漏区一侧引入了结型肖特基势垒二极管结构。所述器件结构可以使沟槽型碳化硅MOSFET在获得大的正反向对称耐压的同时，具有较小的正向导通压降。此外，为了进一步解决该器件栅氧化层可靠性问题及栅漏电容较大问题，给出了几种相应的衍生结构。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 碳化硅 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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