[发明专利]一种低介电损耗、宽烧结工艺窗口的低温共烧陶瓷材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202011579910.1 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112679199A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 温俊磊;周世平;周纪平;马丹丹;李武;裴广斌 | 申请（专利权）人： | 洛阳中超新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/626;C03C6/04;C03C1/00;C03C12/00 |
| 代理公司： | 北京美智年华知识产权代理事务所(普通合伙) 11846 | 代理人： | 汪永生 |
| 地址： | 471899 *** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种低介电损耗、宽烧结工艺窗口的低温共烧陶瓷材料及其制备方法。该低温共烧陶瓷材料是由钙硼硅铅玻璃和氧化铝陶瓷组成，按质量分数计，钙硼硅铅玻璃为50wt％～70wt％，氧化铝陶瓷为30wt％～50wt％。制备方法包括钙硼硅铅玻璃粉体的制备，复合粉体的制备，以及复合粉体的成型和低温烧结。本发明的低温共烧陶瓷材料具有非常低的介电损耗，在20MHz下测得材料的介电损耗在3×10 |
||
| 搜索关键词： | 一种 低介电 损耗 烧结 工艺 窗口 低温 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于洛阳中超新材料股份有限公司，未经洛阳中超新材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011579910.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
