[发明专利]一种非制冷红外焦平面阵列探测器的信号读出电路及方法有效
| 申请号： | 202011540563.1 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112763078B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 刘俊;何佳 | 申请（专利权）人： | 杭州海康微影传感科技有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/24 | 分类号： | G01J5/24 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 孙毅俊 |
| 地址： | 311501 浙江省杭州市桐*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种非制冷红外焦平面阵列探测器的信号读出电路及方法。其中，该读出电路包括行选模块和非制冷红外焦平面阵列；非制冷红外焦平面阵列包括多行红外敏感像元和多行虚设电阻；行选模块在当前帧的前端时段按设定的次序逐个选通各行红外敏感像元和各行虚设电阻，并在当前帧的帧冗余时段控制预设的目标虚设电阻行处于导通状态；其中，目标虚设电阻行为多行虚设电阻中的至少一行。该读出电路在帧冗余时段，探测器阵列的等效负载处于不变，减少由于负载波动引起的工作电压纹波，有利于提高工作电压的稳定性，从而提高读出电路输出信号的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制冷 红外 平面 阵列 探测器 信号 读出 电路 方法 | ||
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- 本公开涉及基于CMOS工艺的红外探测器像元和红外探测器，该红外探测器像元包括：CMOS测量电路系统和位于CMOS测量电路系统上的CMOS红外传感结构，CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均采用CMOS工艺制备；CMOS红外传感结构包括位于CMOS测量电路系统上的反射层、红外转换结构和多个柱状结构，柱状结构位于反射层和红外转换结构之间，反射层包括反射板和支撑底座，红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接；柱状结构采用实心金属柱。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题；同时，柱状结构采用实心金属柱，可实现稳定支撑，红外探测器的结构稳定性较好。
- 一种大面阵制冷红外探测器读出驱动及处理电路-202222807306.0
- 冯帆;刘尧振;祝福;蔡闻超 - 北京新锋睿视光电技术有限公司
- 2022-10-24 - 2023-01-24 - G01J5/24
- 本实用新型公开了一种大面阵制冷红外探测器读出驱动及处理电路，包括制冷探测器、半环驱动和自适应通道选通设计，所述半环驱动连接设于制冷探测器上，所述自适应通道选通设计连接设于半环驱动上，所述半环驱动包括引线环PCB、软排线接插件、高速信号管脚、供电电压管脚和环绕地铜，所述软排线接插件设于引线环PCB上，所述高速信号管脚设于引线环PCB上且与软排线接插件连接，所述供电电压管脚设于引线环PCB上且与软排线接插件连接，所述环绕地铜设于PCB上且位于高速信号管脚两侧。本实用新型涉及红外探测器地处驱动处理电路设计领域，具体是指一种大面阵制冷红外探测器读出驱动及处理电路。
- 基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器-202110324035.0
- 翟光杰;武佩;潘辉;翟光强 - 北京北方高业科技有限公司
- 2021-03-26 - 2023-01-10 - G01J5/24
- 本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器，该镜像像元包括：CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统上方直接制备CMOS红外传感结构；CMOS红外传感结构包括反射层、红外转换结构和第一柱状结构，红外转换结构通过第一柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接；梁结构位于吸收板临近CMOS测量电路系统的一侧，吸收板包括临近或远离CMOS测量电路系统的一侧的金属结构，至少部分反射板位于金属结构的正投影内。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题。
- 基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器-202110324051.X
- 翟光杰;武佩;潘辉;翟光强 - 北京北方高业科技有限公司
- 2021-03-26 - 2023-01-10 - G01J5/24
- 本公开涉及一种基于CMOS工艺的红外探测器镜像像元和红外探测器，该镜像像元包括：CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备，在CMOS测量电路系统上方直接制备CMOS红外传感结构；红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接；CMOS红外传感结构还包括位于反射层上的密闭释放隔绝层，构成密闭释放隔绝层的材料包括非晶碳、碳化硅、氧化铝、碳氮化硅或氮化硅中的至少一种，密闭释放隔绝层的厚度大于等于1微米，小于等于2微米。通过本公开的技术方案，解决了传统MEMS工艺红外探测器的性能低，像素规模低，良率低等问题。
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