[发明专利]具有复合氧化层的碳化硅金属氧化物半导体制备方法在审
| 申请号： | 202011508997.3 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112599408A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 叶宏伦;洪天河 | 申请（专利权）人： | 璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 罗恒兰 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种具有复合氧化层的碳化硅金属氧化物半导体制备方法，其利用低能等离子氧预洗芯片表面，产生牺牲氧化物，再用RCA工艺清洗碳化硅外延片表面，以改善芯片的研磨残余的缺陷。然后，以干式热氧化生长一层二氧化硅薄膜，改善碳空位缺陷；进一步把碳化硅外延片放置在一300℃的热盘上，在氧气下溅射Al原子，接着在氧气中静置3~5分钟；重复溅射、静置步骤至所需Al |
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| 搜索关键词： | 具有 复合 氧化 碳化硅 金属 氧化物 半导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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- 本发明提供了一种离子注入方法，解决了传统的工艺难以在碳化硅晶圆上实现理想的P+离子注入结深的问题。所述离子注入方法包括：提供一晶圆；在所述晶圆上形成具有图形化的刻蚀掩膜层；基于所述刻蚀掩膜层对所述晶圆进行刻蚀以形成沟槽；在所述刻蚀掩膜层远离所述晶圆的一侧以及所述沟槽的侧壁及底部形成第一注入掩膜层；在所述沟槽的部分或全部侧壁形成金属层；在所述注入掩膜层远离所述刻蚀掩膜层一侧表面、所述沟槽的部分侧壁和/或所述沟槽的底部形成第二注入掩膜层；进行至少两次离子倾斜注入，以在所述沟槽的侧壁和/或沟槽底部形成第一导电类型的注入结构。
- 一种基于超临界CO2处理的4H-SiC/SiO2界面低温改善方法及其应用-202010374301.6
- 刘卫华;王梦华;耿莉;杨明超;郝跃;杨松泉 - 西安交通大学
- 2020-05-06 - 2023-05-16 - H01L21/04
- 本发明公开了一种基于超临界CO2处理的4H‑SiC/SiO2界面低温改善方法及其应用，将待处理的碳化硅样品进行标准清洗；将清洗后的碳化硅样品干氧氧化生长氧化层；将带有氧化层的碳化硅样品放置到超临界设备内支架上，保证样品垂直；向超临界设备的腔室内放入去离子水，然后将设备密封；控制压强向超临界设备内充入二氧化碳；将超临界设备温度从25℃升到150℃；保持以上超临界状态处理，降压处理并保持；反应结束后将反应釜温度降至室温，停止增压泵，降压至大气压后取出。本发明不仅可以有效降低界面态密度还可以显著降低工艺温度，并且不会将外来原子引入到氧化层中。
- 一种基于碳膜的碳化硅欧姆接触结构及其制备方法-202310084564.7
- 贾汉祥;李英万;柳俊;陶卓 - 湖北九峰山实验室
- 2023-01-16 - 2023-05-09 - H01L21/04
- 本发明提供一种基于碳膜的碳化硅欧姆接触结构及其制备方法，上述的制备方法包括：在SiC衬底表面沉积C膜，并进行第一次退火处理；在C膜背离SiC衬底的一侧沉积金属层；对金属层背离C膜的一侧进行氮化处理，形成金属氮化物钝化层；进行第二次退火处理，以使金属与C膜反应形成金属碳化物中间层，得到金属氮化物/金属碳化物/SiC结构。该制备方法通过在SiC和金属层之间引入C膜，可有效避免SiC中C元素扩散引起的接触势垒和接触电阻的升高，进行退火处理得到热稳定性好的金属碳化物，以得到低电阻且热稳定的碳化硅欧姆接触结构，使得碳化硅欧姆接触结构能够保持较好的欧姆接触特性，提高了器件的可靠性。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
