[发明专利]一种基于柔性衬底的SOI基LDMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202011504456.3 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112635564A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;唐春萍;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学;钱塘科技创新中心 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于柔性衬底的SOI基LDMOS器件及其制作方法，旨在进一步优化击穿电压与比导通电阻的矛盾关系从而优化器件性能，并可应用于柔性电子系统。该器件通过将性能较优异的功率器件SOI LDMOS与柔性衬底结合，采用带有SOI基的P型硅衬底材料，在SOI基上的外延层通过掺杂形成漂移区和基区；在基区左端刻蚀并积淀表面电极，该表面电极从器件表面沿纵向依次穿过基区、SOI基，深入到P型硅层上部；在漂移区中间区域表面形成以介质材料填平的氧化槽。本发明将功率器件SOI LDMOS与柔性衬底结合，不仅实现了传统无机半导体功率器件与柔性电子领域新的突破与创新，还能弥补柔性有机材料电子性能较差的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 柔性 衬底 soi ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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