[发明专利]一种十字架型稀土上转换微米晶、其制备方法及应用在审

专利信息
申请号: 202011498316.X 申请日: 2020-12-17
公开(公告)号: CN112574750A 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 李艳周;游文武;毛艳丽;赵俊伟;李艺颖 申请(专利权)人: 河南大学
主分类号: C09K11/85 分类号: C09K11/85;C01F17/36;C01F17/10;C09D11/50
代理公司: 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 代理人: 张丽
地址: 475001*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开一种十字架型稀土上转换微米晶、其制备方法及应用,属于稀土发光材料与应用技术领域,所述上转换微米晶的基质材料为NaLnF4,Ln为Yb,发射离子选定为饵、钬、铥三种离子中的一种或两种以上任意比例组合,其中Yb离子摩尔浓度为50~99.99%,发射离子摩尔掺杂浓度为0.002~40%。本发明提供的一种十字架型稀土上转换微米晶。所述发明得到的上转换材料在防伪应用中相比之前只利用上转换发光作为防伪特征多了一个维度的防伪特征,发明所得十字架型微米晶独特的显微结构提升了上转换防伪材料被仿造的难度,从而可以有效地增强上转换材料的防伪能力。
搜索关键词: 一种 十字架 稀土 转换 微米 制备 方法 应用
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  • 2021-10-13 - 2023-08-22 - C09K11/85
  • 本发明公开了一种可溶解于极性溶剂的Yb/Er共掺杂β‑NaCaGdF6纳米荧光材料的制备方法,通过溶剂热法一次制备出以以三元金属氟化物NaCaGdF6为基质,以Yb3+离子为敏化剂,Er3+离子为激活剂的上转换发光材料,不仅反映条件温和,产率高,操作简单,更具有安全与环保性;并且本发明所制备出的Yb/Er共掺杂β‑NaCaGdF6荧光材料为尺寸在20nm左右的纳米级颗粒,形貌为棒状的、单分散,结晶度高、分散性好,且相较于同样的Yb/Er共掺杂的一元金属氟化物和二元金属氟化物,其转换发光效率更高。
  • 一种三价铬离子掺杂的宽带近红外荧光材料的制备方法-202310605549.2
  • 邱建备;赵春力;高源 - 昆明理工大学
  • 2023-05-26 - 2023-08-18 - C09K11/85
  • 本发明公开了一种三价铬离子掺杂的宽带近红外荧光材料的制备方法,其特征在于:首先将称好的CsX、NaX、ScX3·6H2O和CrX3放置于玛瑙研钵,滴入去离子水后,研磨至水分完全挥发产生白色粉末后转移至70℃烘箱保温20分钟后取出,将白色块体研磨至粉末状后转移至10ml的反应釜容器中,将容器密封在钢制高压釜中,再置于电热鼓风干燥箱升温、保温、降温至室温即得。本发明采用改进的固相法,制得的荧光材料结晶性、稳定性好,具有接近100%的超高宽带近红外荧光量子产率,且其近红外发光范围覆盖近红外一区和二区,在夜视照明等领域展现出极佳的应用效果和广泛的应用前景。
  • 一种具有光热特性的上转换发光薄膜及其制备方法和在IGBT模块表面测温装置中的应用-202310495269.0
  • 梁国斌;林伟;印霞棐;吴娟 - 江苏理工学院
  • 2023-05-05 - 2023-08-18 - C09K11/85
  • 本发明公开了一种具有光热特性的上转换发光薄膜及其制备方法和在IGBT模块表面测温装置中的应用,属于稀土上转换发光材料测量温度的技术领域。本发明解决了现有IGBT模块芯片表面分布式测温困难的问题。本发明将上转换纳米材料与PDMS混合制备得到具有光热特性的透明薄膜,利用上转换纳米材料含有的Er3+具有丰富的阶梯状排列能级,Yb3+具有敏化作用,采用荧光强度比技术在特殊的极端条件下保证了高灵敏度优势,实现高质量的温度传感,减少荧光记录过程中外部环境干扰的影响,误差极小,具有较好的稳定性和可重复性,实现对IGBT模块芯片表面高分辨率的分布式测温,在当前尖端领域中实现高分辨率测温具有巨大应用前景。
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