[发明专利]晶圆键合结构及键合方法在审
申请号: | 202011478699.4 | 申请日: | 2020-12-15 |
公开(公告)号: | CN112599431A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 张栖瑜;王学毅 | 申请(专利权)人: | 联合微电子中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 401332 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明提供一种晶圆键合结构及键合方法,通过分别在第一晶圆及第二晶圆上制备对应设置的第一沟槽及第二沟槽,以及进行表面亲水性处理后,可通过在分立的晶粒上添加液体,以进行对应晶粒的贴合处理,从而依靠晶粒实现第一晶圆与第二晶圆的自对准键合;由于晶圆的自对准键合是基于晶粒进行的,从而本发明可适用于不同尺寸的晶圆间的自对准键合,适用范围较广;操作便捷,无需价格昂贵的自动对准键合机,可降低生产成本;通过表面亲水性处理及等离子体激活处理可提高晶圆表面能,降低退火温度,增加工艺流程的可靠性;第一沟槽及第二沟槽可作为热流道,提高自对准键合的效果。 | ||
搜索关键词: | 晶圆键合 结构 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造