[发明专利]一种中子辐射探测器在审

申请号：	202011472265.3	申请日：	2020-12-14
公开（公告）号：	CN112599620A	公开（公告）日：	2021-04-02
发明（设计）人：	贾玉萍;黎大兵;孙晓娟;蒋科;陈洋	申请（专利权）人：	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号：	H01L31/0312	分类号：	H01L31/0312;H01L31/118;H01L31/18;G01T3/08
代理公司：	长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218	代理人：	高一明;郭婷
地址：	130033 吉林省长春***	国省代码：	吉林;22
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摘要：	本发明提供一种中子辐射探测器，器件结构包括：导电碳化硅衬底、制备于导电碳化硅衬底上的非掺SiC本征外延层、制备于SiC本征外延层上的肖特基电极、制备于肖特基电极上的BN层以及制备于导电碳化硅衬底下表面的欧姆电极；所述BN层为中子转换层，中子与BN层中的B的同位素10B发生反应形成Alpha粒子；所述非掺SiC本征外延层为Alpha粒子探测层，Alpha粒子在所述非掺SiC本征外延层中产生电子‑空穴对，在外加偏压下形成信号电流，最终实现中子探测。利用BN为中子转化层，实现中子向Alpha粒子的转换。再利用碳化硅对Alpha粒子的高分辨能力，最终实现中子的有效探测。
搜索关键词：	一种中子辐射探测器
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摘要：本发明公开了一种新型双台面碳化硅SACM单光子探测器及其制备方法，该单光子探测器制备于n型SiC衬底上，采用n+/n‑/n/n‑/p结构或p+/p‑/p/p‑/n结构；所述单光子探测器从顶部至雪崩层的上表面刻蚀有小角度倾斜台面，小角度倾斜台面的底角小于10°，且小角度倾斜台面采用半台面结构；所述小角度倾斜台面的下台面至底部接触层刻蚀有垂直台面，形成深槽隔离；所述垂直台面的直径大于小角度倾斜台面下台面的直径。本发明能够提高器件填充因子和芯片利用率，优化SiC SACMAPD的有效光敏区域；通过垂直台面刻蚀实现相邻器件之间的电学隔离和光学隔离。

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申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L31/0312
摘要：本发明提供一种中子辐射探测器，器件结构包括：导电碳化硅衬底、制备于导电碳化硅衬底上的非掺SiC本征外延层、制备于SiC本征外延层上的肖特基电极、制备于肖特基电极上的BN层以及制备于导电碳化硅衬底下表面的欧姆电极；所述BN层为中子转换层，中子与BN层中的B的同位素10B发生反应形成Alpha粒子；所述非掺SiC本征外延层为Alpha粒子探测层，Alpha粒子在所述非掺SiC本征外延层中产生电子‑空穴对，在外加偏压下形成信号电流，最终实现中子探测。利用BN为中子转化层，实现中子向Alpha粒子的转换。再利用碳化硅对Alpha粒子的高分辨能力，最终实现中子的有效探测。

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摘要：本发明涉及一种碳化硅基紫外减反射膜结构及其制备方法，属于光电探测器件加工技术领域。所述结构包括减反射膜层和电极，所述减反射膜层包括叠放的SiO2层和Al2O3层，所述减反射膜层设有通孔，所述电极全部或部分淀积在所述通孔内。本发明实施例提供的碳化硅基紫外减反射膜结构通过将Al2O3膜层与SiO2膜层结合使用，防止了外界杂质对SiO2膜层的污染和腐蚀，提高了探测器器可靠性和寿命，同时，Al2O3层的表面粘度低、导热性能好，与SiO2膜层协同作用确保碳化硅基紫外探测器测量的准确性和灵敏度。

一种低翘曲硅片-201820627323.7
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摘要：本实用新型涉及一种低翘曲硅片，包括带点硅片层和铝浆层，所述带点硅片层和所述铝浆层之间的点中有印刷有点铝浆层。本实用新型采用带点硅片层，在带点硅片层的点中印刷有点铝浆层，能够提高硅片的转化效率，铝浆层覆盖在带点硅片层和点铝浆层上，有利于降低翘曲值，保护硅片。

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摘要：快速光电恢复响应的近紫外光电位敏传感器及其制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有窄禁带半导体紫外光电位敏传感需要遮光片的问题。该近紫外光电位敏传感器具有金属氧化物—SiC结构，在β‑SiC基片上采用激光脉冲沉积金属氧化物层，其中的金属氧化物为Fe3O4、Al‑ZnO、In2O3或F‑SnO2。制备方法一、金属氧化物粉末压片成型，制备金属氧化物靶材；二、清洗β‑SiC基片；三、采用准分子激光器辐照金属氧化物靶材，利用激光脉冲在基片上沉积金属氧化物层。本发明采用的SiC宽禁带半导体仅在紫外/近紫外光区响应，所以不需要增加遮光片，并且该传感器的位置灵敏度较高。

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超韧单晶掺硼金刚石-200980125978.8
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摘要：本发明涉及具有至少约22MPa m1/2的韧度的单晶掺硼CVD金刚石。本发明进一步涉及制备单晶掺硼CVD金刚石的方法。该金刚石的生长速率可以是20-100μm/h。

高温电子装置-200480033779.1
发明人： P·F·罗德尼;J·E·马西诺;C·A·戈拉;R·L·舒尔茨;J·J·弗雷曼 -专利权人：哈利伯顿能源服务公司
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摘要：在至少一些实施例中，适合在超过200℃的温度处使用的电子装置可以包括制造在碳化硅衬底上的集成电路，以及厚钝化层。在其它的实施例中，适合在超过200℃的温度处使用的电子装置可以包括由位于蓝宝石衬底上的硅形成的集成电路，以及厚钝化层。该电子装置可以在碳氢化合物钻井和开采操作的情形中实施。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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