[发明专利]OLED器件的制备方法及OLED器件有效
| 申请号： | 202011454798.9 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112599711B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 彭灿 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 杜蕾 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种OLED器件的制备方法，所述方法包括：在一衬底基板上制备阳极金属层；在所述阳极金属层上制备空穴注入层，若检测出所述空穴注入层的表面发生成膜不均匀现象，则对所述空穴注入层进行第一返工清洗流程后重新制备所述空穴注入层；在所述空穴注入层上制备空穴传输层，若检测出所述空穴传输层的表面发生成膜不均匀现象，则对所述空穴传输层进行第二返工清洗流程后重新制备所述空穴传输层；在所述空穴传输层上制备有机发光层，若检测出所述有机发光层的表面发生成膜不均匀现象，则对所述有机发光层进行所述第二返工清洗流程后重新制备所述有机发光层；依次在所述有机发光层上沉积电子传输层、电子注入层以及阴极金属层，最后得到所述OLED器件。 | ||
| 搜索关键词： | oled 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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