[发明专利]一种新型石墨烯纳米窄带的制备方法在审

专利信息
申请号: 202011446581.3 申请日: 2020-12-11
公开(公告)号: CN112661140A 公开(公告)日: 2021-04-16
发明(设计)人: 陈长鑫;贺志岩;江圣昊;石方远;王广鹏;周庆萍 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C01B32/184 分类号: C01B32/184;C09G1/06;C22F1/02;C22F1/08;C25F3/22
代理公司: 北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 11491 代理人: 王峰刚
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于石墨烯条带制备技术领域,公开了一种新型石墨烯纳米窄带的制备方法,所述新型石墨烯纳米窄带的制备方法包括以下步骤:将铝片作为阴极,铜箔作为阳极插入电解抛光液中进行电解抛光;氮气吹干后置于石英管中进行加热、退火,得到多孔铜箔;将石墨烯转移至铜箔上,将石墨烯进行光刻图形化得到图形化的石墨烯;将图形化的石墨烯置于反应器内进行低温生长;真空条件下冷至室温,进行氢气等离子体刻蚀处理,得到石墨烯纳米窄带成品。本发明通过利用氢气等离子体对石墨烯的各向异性刻蚀机制,最终得到的石墨烯条带具有以锯齿型边缘占主导的几何结构,不会破坏石墨烯条带的晶格结构、可以最大限度的保持石墨烯条带的本征性质。
搜索关键词: 一种 新型 石墨 纳米 窄带 制备 方法
【主权项】:
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