[发明专利]用于形成位线接触的隔离图案、制备方法和电子设备在审
申请号: | 202011440017.0 | 申请日: | 2020-12-10 |
公开(公告)号: | CN114628387A | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 田范焕;梁时元;贺晓彬;杨涛;丁明正;刘强 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 刘广达 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于形成位线接触的隔离图案、制备方法和电子设备。其中,用于形成位线接触的隔离图案包括:半导体衬底;位于半导体衬底之上的多个隔离部;每个所述隔离部之间不相接;其中,每个隔离部的图案均为矩形,每个所述隔离部覆盖两个相邻的有源区的不同端或每个所述隔离部覆盖一个有源区的一端。矩形隔离部可以减小有源区两端的隔离区域尺寸,为位线接触孔的提供更大的空间,降低位线接触孔碰到相邻的有源区的几率,从而避免产生器件干扰。 | ||
搜索关键词: | 用于 形成 接触 隔离 图案 制备 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的