[发明专利]用于形成位线接触的隔离图案、制备方法和电子设备在审

专利信息
申请号: 202011440017.0 申请日: 2020-12-10
公开(公告)号: CN114628387A 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 田范焕;梁时元;贺晓彬;杨涛;丁明正;刘强 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 刘广达
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种用于形成位线接触的隔离图案、制备方法和电子设备。其中,用于形成位线接触的隔离图案包括:半导体衬底;位于半导体衬底之上的多个隔离部;每个所述隔离部之间不相接;其中,每个隔离部的图案均为矩形,每个所述隔离部覆盖两个相邻的有源区的不同端或每个所述隔离部覆盖一个有源区的一端。矩形隔离部可以减小有源区两端的隔离区域尺寸,为位线接触孔的提供更大的空间,降低位线接触孔碰到相邻的有源区的几率,从而避免产生器件干扰。
搜索关键词: 用于 形成 接触 隔离 图案 制备 方法 电子设备
【主权项】:
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