[发明专利]半导体制造设备及去除晶圆表面颗粒的方法在审

专利信息
申请号: 202011440008.1 申请日: 2020-12-10
公开(公告)号: CN114628274A 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 徐官基;白国斌;高建峰;王桂磊;田光辉;丁云凌 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/02
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 李晶
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种半导体制造设备及去除晶圆表面颗粒的方法,该半导体制造设备包括反应腔室、载台和喷头组件,载台设置在反应腔室中,载台用于承载晶圆;喷头组件也设置在反应腔室中,且喷头组件设置在载台的上方,喷头组件包括第一喷头和第二喷头,第二喷头环设在第一喷头的外围,第一喷头用于喷洒反应气体,第二喷头用于在晶圆卸载过程中对晶圆进行吹扫。本发明公开的半导体制造设备中,第二喷头在晶圆的卸载过程中吹扫晶圆的表面,从而能够减少或去除污染物颗粒,避免污染物颗粒影响产品良率以及避免污染物颗粒对设备造成交叉污染。
搜索关键词: 半导体 制造 设备 去除 表面 颗粒 方法
【主权项】:
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