[发明专利]快装门式放射性沾污检测仪装置在审

专利信息
申请号: 202011426211.3 申请日: 2020-12-09
公开(公告)号: CN112596090A 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 肖明;薛永希;王俊丽 申请(专利权)人: 中广核久源(成都)科技有限公司
主分类号: G01T1/00 分类号: G01T1/00;G01T7/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610041 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种快装门式放射性沾污检测仪装置,包括底座对插件、右下探测器、中间对插件、右上探测器、上梁、左上探测器、左下探测器;右下探测器及左下探测器整体加紧固定在底座对插件上,用中间对插件对右上探测器与左上探测器进行固定;上梁整体插入所述右上探测器和所述左上探测器顶部。该快装门式放射性沾污检测仪装置具有如下有益效果:(1)有组件之间采用快装连接,实现了工具简单快速安装;(2)所有组件轻量化,实现快速定点安装;(3)在探测器内部设置有减震棉,确保了探测器内部设备的抗震性能;(4)在探测器内部设置有密封垫圈,保证了探测器的密封性能。
搜索关键词: 快装门式 放射性 沾污 检测 装置
【主权项】:
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  • 本发明涉及探测器技术领域,具体涉及一种适用于多辐射环境的甄别测量探测器,包括闪烁体、光电探测器阵列、读出电路板、信号输出端、供电端、外壳、探测面和底座,闪烁体和光电探测器阵列置于外壳中,闪烁体和光电探测器阵列从侧面耦合连接;探测面从顶面封闭外壳,读出电路板从底面封闭外壳,读出电路板置于底座上,底座底部设置有信号输出端和供电端,所述的探测器具有结构简单,可用于测量β‑γ混合场,实现分层导出信号,与传统使用PMT的结构相比,具有低电压、体积更小巧灵活且对磁场不敏感,可以同时获取三层闪烁体的信号,为将来采用多路符合测量β‑γ混合场提供技术支撑。
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  • 李永;王强;王国宝;郑玉来;郭凤美;刘超;田利军;田星皓;颜静儒;谢思亚;郭靓 - 中国原子能科学研究院
  • 2020-10-20 - 2023-05-23 - G01T1/00
  • 本发明公开一种辐射监测装置,包括:多个探测器,设置在辐射源的移动方向上,探测器的视野范围在所述辐射源所在位置处被划分为二维平面网格,所述辐射源发出的射线在单位时间间隔内被多个探测器中的至少一个探测;数据采集模块,采集由所述多个探测器中的至少一个探测到的信号;和数据处理模块,将所述数据采集模块采集到的信号转换成带有位置信息的数字信号,以确定所述辐射源所在的位置。该装置可通过对探测器动态数据的变化定位辐射源所在方位,结合光学相机给出二维图像,同时识别并确定携带者,实现预警。
  • 半导体探测器-201610797083.0
  • 张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成 - 同方威视技术股份有限公司
  • 2016-08-31 - 2023-05-23 - G01T1/00
  • 本发明提出了一种半导体探测器。所述半导体探测器包括:探测器晶体,包括晶体主体、阳极和阴极;场增强电极,用于向探测器晶体施加电压;绝缘材料,设置于所述场增强电极和所述探测器晶体表面之间。所述半导体探测器还包括场增强电极电路板,所述增强电极电路板具有与探测器晶体表面接触的底部连接层和与所述底部连接层相对的顶层,其中所述顶层连接半导体探测器的高压输入,所述底部连接层与所述探测器晶体的探测器表面之间存在绝缘材料。
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