[发明专利]GaN基HEMT器件的制备方法有效
| 申请号： | 202011410376.1 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112530803B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;石航宁;游天桂;伊艾伦;徐文慧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/762;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人： | 钱文斌 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN基HEMT器件的制备方法，可以将自支撑GaN单晶衬底上同质外延的高质量AlGaN/GaN结构转移至支撑衬底，在简单处理去除表面的残留层后，生长源、漏、栅电极即可获得高性能的GaN基HEMT器件；自支撑GaN单晶衬底没有损耗，可以回收循环利用，从而大大降低成本；根据不同支撑衬底的材料特点，可实现GaN基HEMT器件与支撑衬底的异质集成，发挥GaN基HEMT器件的不同优势，以提升GaN基HEMT器件的性能，使得GaN基HEMT器件在高频率、高功率状态下可长时间稳定工作；可应用于制备N极性面GaN基HEMT器件以及Ga极性面GaN基HEMT器件，扩大应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | gan hemt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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