[发明专利]硫和/或氮掺杂石墨烯纳米片的制备方法、应用有效
申请号: | 202011347785.1 | 申请日: | 2020-11-26 |
公开(公告)号: | CN112593203B | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 许交兴;官轮辉;崔亚琪 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C25B11/091;C25B1/30;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人: | 周新楣 |
地址: | 350002 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: |
本申请公开了一种硫和/或氮掺杂石墨烯纳米片的制备方法及应用,所述方法包括:在非活性气氛下,将含有掺杂源和碳源的原料,在催化剂的存在下,进行化学沉积,反应,之后除去催化剂,即可得到所述硫和/或氮掺杂石墨烯纳米片;所述掺杂源选自硫源、氮源中的至少一种。本申请提供的基于化学气相沉积(CVD)方法策略合成一种S和/或N掺杂石墨烯纳米片,其作为催化剂在酸性介质下表现出非凡的电催化氧还原产H |
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搜索关键词: | 掺杂 石墨 纳米 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的