[发明专利]一种温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法

摘要

本发明公开了一种温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷，其组成表达式为aMgSiO3‑bMgTiO3‑cSrSiO3‑dSrTiO3，其中，a、b、c和d分别独立表示摩尔百分比，并满足以下条件：20mol％≤a≤30mol％，53mol％≤b≤63mol％，12mol％≤c≤22mol％，5mol％≤d≤15mol％，a+b+c+d＝100mol％。本发明还公开了一种温度稳定型低介电常数微波介质陶瓷的制备方法。该微波介质陶瓷具有优异的微波介电性能，其烧结温度低，并具有较高的品质因数和近零的可调频率温度系数，温度稳定性好，且制备原料无毒、价格低廉，制备工艺简单。