[发明专利]包括支撑件的半导体装置及其制造方法

摘要

提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：衬底，其包括单元区和连接区。连接区包括多个焊盘区和贯穿电极区。水平导电层位于衬底上。支撑件位于水平导电层上。支撑件包括单元区中的第一部分、多个焊盘区中的第二部分和贯穿电极区中的第三部分。连接导电层位于第一部分与水平导电层之间。连接模制层位于第三部分与水平导电层之间。设置穿过第三部分、连接模制层和水平导电层的第一埋置绝缘层。堆叠结构位于衬底上。设置穿过第一埋置绝缘层的贯穿电极。