[发明专利]一种微带线滤波器在审

专利信息
申请号: 202011279368.8 申请日: 2020-11-16
公开(公告)号: CN112271422A 公开(公告)日: 2021-01-26
发明(设计)人: 秦玉峰;陈平;李国兴;王从瑞;彭金民 申请(专利权)人: 南京濠暻通讯科技有限公司
主分类号: H01P1/203 分类号: H01P1/203;H01P1/212
代理公司: 北京华际知识产权代理有限公司 11676 代理人: 范登峰
地址: 211106 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及滤波器技术领域,尤其涉及一种微带线滤波器,包括PCB基板、参考地平面和滤波器本体,参考地平面位于PCB基板的底层,滤波器本体位于PCB基板的顶层;滤波器本体包括依次连接的输入匹配单元、第一滤波单元、第二滤波单元、第三滤波单元和输出匹配单元。本发明尺寸小、精度高、容易加工、成本低、容易集成到电路中;滤波器的插入损耗低,反射系数小,性能优良;滤波器的带外抑制高,特别是二倍频处的带外抑制高。
搜索关键词: 一种 微带 滤波器
【主权项】:
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  • 2023-07-26 - 2023-09-05 - H01P1/203
  • 本发明公开一种高选择性的多零点毫米波带通滤波器。电磁波通过输入馈线传递到谐振器1,再通过混合耦合传递到谐振器2且通过磁耦合传递到谐振器4。电磁波从谐振器2通过第一连接金属传递到谐振器3此时的耦合为电耦合,电磁波从谐振器3通过混合耦合传递到谐振器4从而传递到输出馈线。由于在谐振器2、谐振器3之间引入了电耦合以及在谐振器1、谐振器2和谐振器3、谐振器4之间引入了混合耦合导致了多零点的产生。本发明基于集总分布结合结构以及IPD技术,引入了MIM电容实现了滤波器尺寸的小型化。
  • 基于硅通孔技术的六阶双层高选择SIW滤波器-202310791409.9
  • 王凤娟;杨卓钰;杨媛;余宁梅;尹湘坤;朱樟明 - 西安理工大学
  • 2023-06-30 - 2023-09-01 - H01P1/203
  • 本发明公开了一种基于硅通孔技术的六阶双层高选择SIW滤波器,从上至下依次设置的RDL金属层I、RDL金属层II及RDL金属层III,RDL金属层I与RDL金属层II之间设有第一层滤波器结构,第一层滤波器结构连接微带线馈电输入端,RDL金属层II与RDL金属层III之间设有第二层滤波器结构,第二层滤波器结构连接微带线馈电输出端,第一层滤波器结构与第二层滤波器结构均包含三个由TSV阵列构成的谐振腔,相邻两个谐振腔之间通过开窗实现磁耦合。本发明利用TSV技术实现双层结构,并且引入交叉耦合以产生传输零点,从而提高滤波器的选择性,实现六阶SIW滤波器的小型化、高选择性和低损耗的特点。
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