[发明专利]一种新型冲压卷制低通及其加工工艺有效

专利信息
申请号: 202011276523.0 申请日: 2020-11-16
公开(公告)号: CN112599943B 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 蔡松;王伟琦 申请(专利权)人: 武汉凡谷电子技术股份有限公司
主分类号: H01P1/212 分类号: H01P1/212;H01P1/207;H01P11/00;B21D35/00
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 黄行军;万仲达
地址: 430020 湖北省武汉市江夏区光*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 一种新型冲压卷制低通及其加工工艺,包括高阻,高阻上间隔布置有低阻,高阻的两端分别设有装配端,低阻为框架结构,滤波器腔体内设有低通槽,滤波器腔体内对应低通槽的两端分别设有公共腔谐振器和天线端口连接杆,高阻和低阻安装在低通槽内,且低阻的外壁与低通槽的内壁相抵,一个装配端与公共腔谐振器的连接片相连,另一个装配端与天线端口连接杆相连。通过将低阻设计为框架结构,大大地减少了材料的用量,降低了成本;由于框架结构的低阻具有弹性,所以装配时,低阻可根据低通槽的尺寸自动适配,从而使得本低通的四个面因为弹性会牢牢固定在低通槽内,进而确保低通本身和低通槽为紧配合,从根本上保证了抽头时延的一致性。适用于低通的生产。
搜索关键词: 一种 新型 压卷 制低通 及其 加工 工艺
【主权项】:
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  • 李建林;张祖全 - 纳瓦电子(上海)有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-04-07 - H01P1/212
  • 本发明提供一种滤波器,涉及滤波器设计技术领域,包括:滤波器本体,所述滤波器本体包括叠层设置的多层介质层;输入端口,设置于所述滤波器本体的一侧;至少一个输出端口,设置于所述滤波器本体的另一侧;宽频段电磁波由所述输入端口垂直入射至所述滤波器本体,并经由各层所述介质层对所述宽频段包含的不同频率的所述电磁波进行分离后,由所述输出端口输出需求频段的电磁波。有益效果是满足更高频率的要求;提高滤波器临近频段的选择性,提高对带外频段的抑制。
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