[发明专利]基于新型电阻模型的GaN HEMT等效电路拓扑结构在审
| 申请号： | 202011253334.1 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112380659A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 毕磊 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G06F30/18 | 分类号： | G06F30/18;G06F30/373;G06F30/39 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 徐金生 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明公开了基于新型电阻模型的GaN HEMT等效电路拓扑结构，包括晶体管GH；GH的栅极G、源极S和漏极D分别连接电感L1、L3和L2的一端；L1的另一端分别连接电容C1、电阻R1和电容C2的一端；电阻R1另一端分别接电容C3的一端和电容C4的一端；C3另一端与电阻R2的一端相接；电容C4另一端与电阻R3的一端相接；电阻R3另一端分别与电流源Ids的一端、电容C5、电阻R5和电阻R4的一端相接；电阻R2另一端分别接电阻RS的一端、电流源Ids另一端、C5另一端和R5另一端。本发明采用了新型电阻RS的参数Rs模型，可以解决电阻RS的参数R |
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| 搜索关键词： | 基于 新型 电阻 模型 gan hemt 等效电路 拓扑 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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