[发明专利]副瓣约束的阵列方向图增益优化方法在审
| 申请号： | 202011201329.6 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN112234336A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 张立;张依轩;李威宗;翁子彬;焦永昌 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01Q1/00 | 分类号： | H01Q1/00;H01Q21/00;H01Q21/06 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 陈宏社;王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种考虑副瓣约束的阵列方向图增益优化方法，主要解决现有技术对于在阵列方向图增益优化过程中没有考虑副瓣约束导致的阵列方向图增益达不到最大的问题，其实现方案是：1)利用给定的阵列指标求得初始解；2)利用初始解进行迭代，得到满足给定副瓣约束的第一阶段解；3)利用第一阶段解进行迭代，得到满足给定副瓣约束并最大化主波束范围内最小增益的第二阶段解；4)由第二阶段解得到阵列单元的激励w；5)将阵列单元激励w代入需要优化的阵列天线，使得考虑副瓣约束的阵列方向图增益达到最大。本发明能最大化给定主波束范围内最小阵列方向图的增益，可用于宽波束及赋形波束阵列天线的优化设计。 | ||
| 搜索关键词： | 约束 阵列 方向 增益 优化 方法 | ||
【主权项】：
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