[发明专利]具有DDR高传输介面的新型SPI-NAND Flash存储芯片及操作方法在审
| 申请号： | 202011177835.6 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112395218A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 郑文豪;施冠良;朱纯莹;黄欢;刘安伟 | 申请（专利权）人： | 南京扬贺扬微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/0882 | 分类号： | G06F12/0882;G06F15/78 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 颜盈静 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高传输介面的新型SPI‑NAND Flash存储芯片，包括：可用于下发SPI命令的SPI命令逻辑控制单元、MCU数字逻辑单元、NAND Flash存储单元和DQS管脚；所述MCU数字逻辑单元包括DDR Ping缓冲器和DDR Pong缓冲器；所述NAND Flash存储单元包括静态随机存取存储器和NAND闪存，所述静态随机存取存储器包括数据缓冲器和寄存器；所述DQS管脚与SPI命令逻辑控制单元进行信号交换，所述MCU数字逻辑单元和NAND Flash存储单元进行信号交换，所述MCU数字逻辑单元内置DDR模式，实现DQS管脚读取NAND Flash存储单元的数据；根据SPI命令逻辑控制单元下发的SPI命令将资料载入数据缓冲器，下启动DDR命令启动DQS做同步信号Clock，通过Clock与DQS的信号而读取资料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 ddr 传输 介面 新型 spi nand flash 存储 芯片 操作方法 | ||
【主权项】：
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