[发明专利]具有超低钴原子含量的多孔氮掺杂碳球材料、其制备方法及其应用在审
申请号: | 202011123566.5 | 申请日: | 2020-10-20 |
公开(公告)号: | CN112403501A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 王亮;乐梦颖;郭华章;陈佳 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | B01J27/24 | 分类号: | B01J27/24;B01J35/00;B01J35/08;B01J35/10;B01J37/08;H01M4/90 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有超低钴原子含量的多孔氮掺杂碳球材料、其制备方法及其应用。本发明选择简单易得的乙二胺四乙酸二钠钴为钴源,盐酸多巴胺为氮源,通过聚合物包封和热解过程得到一种具有超低钴原子含量的多孔氮掺杂碳球。本发明合成的多孔氮掺杂碳球具有较高的比表面积和较多的缺陷态,有利于表面氧还原催化反应的进行,进而有效提高电催化剂的催化活性。所得材料呈现出优异的氧还原活性,具有良好的循环稳定性和一定的抗甲醇毒性,可产生巨大的经济效益和社会效益,有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 具有 超低钴 原子 含量 多孔 掺杂 材料 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
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