[发明专利]一种半导体激光器相干阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 202011114799.9 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112242643B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 顾增辉;张锦川;刘峰奇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/065;H01S5/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体激光器相干阵列，其特征在于，包括：多模干涉区，包括多级一分二的多模干涉耦合结构及多个弯曲波导，不同级之间的多模干涉耦合结构通过弯曲波导连接，其中，多级一分二的多模干涉耦合结构用于产生多个相位相干的光支路；反射区，用于将多个光支路进行传输，并通过反射率的调节控制光支路输出的能量比率；阵列区，包括多个通道波导，用于对反射区输出的多个光支路进行功率放大后输出。本公开还提供了一种半导体激光器相干阵列的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 相干 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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