[发明专利]一种三明治状PN结及其精准构筑方法有效
申请号: | 202011110414.1 | 申请日: | 2020-10-16 |
公开(公告)号: | CN112234110B | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | 王煜;张慧娟;吴俣 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0336;H01L31/068;H01L31/072;H01L31/18 |
代理公司: | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人: | 王灿 |
地址: | 401331 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明属于PN结技术领域,本发明提供了一种三明治状PN结,所述的三明治状PN结是在三层晶胞厚度半导体材料中构筑的。本发明还提供了一种三明治状PN结的精准构筑方法。本发明的三明治状PN结均匀整齐,有透明感,尺寸在微米级;本发明的三明治状PN结厚度与三层晶胞半导体材料的厚度完全吻合;本发明的构筑方法具有精确可控性,广泛适用于各种半导体材料,对于发挥材料本身性质并进一步提高光电化学性能具有重大意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 三明治 pn 及其 精准 构筑 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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