[发明专利]蚀刻设备有效
| 申请号： | 202011109694.4 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112289962B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 许明 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/00;C23F1/08 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 徐世俊 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种蚀刻设备，包括：蚀刻液供给源，包括一第一储液槽、一第二储液槽，及设置于第一储液槽与第二储液槽之间的离子浓度调节装置，第一储液槽容置有金属离子蚀刻液；喷淋装置，与所述蚀刻液供给源的第一储液槽连通，以对至少一目标喷淋金属离子蚀刻液；供液管路，用于流体连接喷淋装置与蚀刻液供给源的第一储液槽；其中，离子浓度调节装置产生电子以调节金属离子蚀刻液中金属离子的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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