[发明专利]一种热原子层沉积技术ALD生长CoSix在审

申请号：	202011077350.X	申请日：	2020-10-10
公开（公告）号：	CN112281138A	公开（公告）日：	2021-01-29
发明（设计）人：	张羽翔;姚川;李会;张时星;吕春杰;梁晓雪;莫美娟;湛亚琴;刘娜;王恒	申请（专利权）人：	许昌学院
主分类号：	C23C16/42	分类号：	C23C16/42;C23C16/455
代理公司：	北京化育知识产权代理有限公司 11833	代理人：	涂琪顺
地址：	461002 河***	国省代码：	河南;41
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摘要：	本发明提供了一种热原子层沉积技术ALD生长CoSix薄膜的方法，包括以下步骤：1)将半导体衬底置于反应腔中，在真空且载气存在的条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Co源进行沉积，得到沉积有Co源的衬底；2)向反应腔中充入惰性气体对沉积有Co源的衬底进行吹扫；3)在载气存在的条件下，以脉冲形式向反应腔通入硅源，所述硅源为气相硅源，与沉积在衬底上的Co源进行单原子反应，得到纳米CoSix薄膜；4)向反应腔中充入惰性气体进行吹扫，完成一个ALD生长循环；重复步骤一至步骤四的操作1～3000次，即可得到生长有不同厚度的CoSix沉积层。本发明可以在衬底上沉积形成保型性好、表面粗糙度低的含CoSix沉积层。
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发明人：张羽翔;姚川;李会;张时星;吕春杰;梁晓雪;莫美娟;湛亚琴;刘娜;王恒 -专利权人：许昌学院
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C23C16/42
摘要：本发明提供了一种热原子层沉积技术ALD生长CoSix薄膜的方法，包括以下步骤：1)将半导体衬底置于反应腔中，在真空且载气存在的条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Co源进行沉积，得到沉积有Co源的衬底；2)向反应腔中充入惰性气体对沉积有Co源的衬底进行吹扫；3)在载气存在的条件下，以脉冲形式向反应腔通入硅源，所述硅源为气相硅源，与沉积在衬底上的Co源进行单原子反应，得到纳米CoSix薄膜；4)向反应腔中充入惰性气体进行吹扫，完成一个ALD生长循环；重复步骤一至步骤四的操作1～3000次，即可得到生长有不同厚度的CoSix沉积层。本发明可以在衬底上沉积形成保型性好、表面粗糙度低的含CoSix沉积层。

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摘要：本发明提供了一种立式真空炉加热机构，包括加热单元和绝缘单元，其中，加热单元包括加热板、过梁和电极底座，电极底座和过梁分别围成一个上下对应的圆环，加热板一端固定在过梁上，另一端固定在电极底座上，组成三角形电连接方式，电极底座用来连接电极引入电流；所述绝缘单元包括用于将两相邻过梁固连的定位板和套设在电极底座柱状凸起上的环形绝缘件。三相电由插入电极底座的电极接入，通过控制加载在电极上的电流大小以及加热板的数量来控制加热板自身发热大小，从而实现对炉内温度的控制；加热机构借助于电极底座采用悬挂式固定方式，与炉体上、下部无接触，减少加热机构对炉体的支撑绝缘要求，方便加热产品从炉底进出及活化剂蒸汽从顶部排出。

透明高屏蔽膜、以及使用了它的高屏蔽层叠体-201680085697.4
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申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C23C16/42
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申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C23C16/42
摘要：等离子体CVD装置(10)具备：真空槽(21)，其划定存储成膜对象(S)的空间；储藏部(30)，其储藏不含氢的异氰酸酯基硅烷，在储藏部(30)内对异氰酸酯基硅烷进行加热，生成用于供给至真空槽(21)中的异氰酸酯基硅烷气体；配管(11)，其将储藏部(30)与真空槽(21)连接，用于将储藏部(30)生成的异氰酸酯基硅烷气体供给至真空槽(21)；温度调节部(12)，其将配管(11)的温度调节为83℃以上180℃以下；电极(22)，其配置在真空槽(21)内；以及电源(23)，其向电极(22)供给高频电力。在真空槽(21)中，在成膜对象(S)上形成氧化硅膜时，真空槽(21)内的压力为50Pa以上且小于500Pa。

气体阻隔性膜的制造方法-201780040108.5
发明人：铃木一生;河村朋纪 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C23C16/42
摘要：本发明提供具有优异的气体阻隔性且透明性优异的气体阻隔性膜的制造方法。本发明涉及一种气体阻隔性膜的制造方法，包括使用组合物通过等离子体化学气相蒸镀法在基材上形成气体阻隔层的步骤，上述组合物含有选自Sn、Pt和Au中的至少一种金属元素0.1～10μg/L以及有机硅氧烷化合物。

PECVD微晶硅锗(SIGE)-201810623048.6
发明人：池孝仁;法扎德·迪安·塔吉克;迈克尔·安东尼·罗莎 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C23C16/42
摘要：本发明的实施方式大体涉及用于形成SiGe层的方法。在一个实施方式中，首先使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成种晶SiGe层，并且也使用PECVD在PECVD种晶层上直接形成主体SiGe层。用于种晶SiGe层和主体SiGe层二者的处理温度低于450摄氏度。

一种低压化学气相淀积法淀积两层钨硅的方法-202010621624.0
发明人：李博;折宇;陈宝忠 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C23C16/42
摘要：本发明一种低压化学气相淀积法淀积两层钨硅的方法，方法包括如下步骤：步骤1，将待淀积的硅片传入缓冲腔，待缓冲腔的真空度小于300mTorr后，再将待淀积的硅片传入工艺腔中；步骤2，在底压小于100mTorr的工艺腔中通入WF6、SiH4和载气，之后进行低压化学气相淀积反应，在待淀积的硅片上生成一层钨硅；步骤3，将淀积有一层钨硅的硅片传入步骤1所述的缓冲腔中，待工艺腔完成自清洁工艺后，将淀积有一层钨硅的硅片传入工艺腔中按照步骤2进行第二次低压化学气相淀积反应，得到淀积有两层钨硅的硅片，从而有效降低MOS产品的多晶电阻，同时提高产品器件的开关速度。

耐热复合材料的制造方法及制造装置-201580003858.6
发明人：中村武志;保户塚梢;福岛康之;霜垣幸浩;百濑健;杉浦秀俊;岛纮平;船门佑一 -专利权人：株式会社IHI;国立大学法人东京大学
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： C23C16/42
摘要：向在电炉(10)内容纳的如预制体那样的具有微细结构的基材(100)供给含有原料气体、添加气体以及载流气体的混合气体，利用化学气相沉积法或化学气相含浸法沉积碳化硅来进行制膜，通过在原料气体中添加的添加气体的添加量来控制制膜的生长速度和埋入均匀性，所述原料气体含有四甲基硅烷，所述添加气体含有如氯化氢、氯代甲烷这样的含氯分子，在陶瓷纤维的预制体中含浸碳化硅的耐热复合材料的制造中，兼顾碳化硅的制膜的生长速度和埋入均匀性。

气体阻隔膜、气体阻隔性膜、气体阻隔膜的制造方法、及气体阻隔性膜的制造方法-201880017865.5
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申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C23C16/42
摘要：制作如下的具有高的气体阻隔性和透明性的气体阻隔膜：在将组成用SiOxCy表示时，在厚度方向上以20nm以上且1000nm以下的范围具有在将横轴设为x、将纵轴设为y的正交坐标上由A(x＝0.8、y＝0.8)、B(x＝1.2、y＝0.8)、C(x＝1.9、y＝0.1)、D(x＝1.9、y＝0.0)、E(x＝0.8、y＝0.55)这5点包围的区域内存在的组成，算术平均粗糙度(Ra)为2.0nm以下。

阻气性塑料成型体及其制造方法-201680021428.1
发明人：田渕博康 -专利权人：麒麟株式会社
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： C23C16/42
摘要：本发明的目的在于提供阻气性和透明性优异的阻气性塑料成型体及其制造方法。本发明的阻气性塑料成型体(90)是具备塑料成型体(91)和设置于塑料成型体(91)的表面的阻气薄膜(92)的阻气性塑料成型体，其中，阻气薄膜(92)含有硅(Si)、碳(C)和氧(O)作为构成元素，并且在按条件(1)进行X射线电子分光分析时，在Si‑C键能的出峰位置具有观察到主峰的区域。条件(1)：将测定范围设定为95eV～105eV。

高电阻率碳化硅-200880119846.X
发明人： A·G·黑尔;E·A·佩里 -专利权人：阔斯泰公司
申请日： 2008-10-29 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： C23C16/42
摘要：在此提供了一种再结晶的碳化硅本体，该再结晶的碳化硅本体具有不小于约1E5Ωcm的电阻率以及包括结合在该本体之中的氮原子的氮含量，其中该氮含量是不大于约200ppm。

耐热复合材料的制造方法及制造装置-201580003002.9
发明人：中村武志;石崎雅人;保户塚梢;福岛康之;霜垣幸浩;百濑健;杉浦秀俊;岛纮平;船门佑一 -专利权人：株式会社IHI;国立大学法人东京大学
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： C23C16/42
摘要：本发明提供一种耐热复合材料的制造方法，是向在电炉(10)中容纳的预制体(100)供给包含原料气体、添加气体和载气的混合气体，利用化学气相沉积法或化学气相渗透法使碳化硅炭硅沉积，从而进行制膜的方法，预制体100包含多个纤维束，纤维束包含多根纤维，所述方法包含使碳化硅沉积于纤维之间来将构成所述纤维束的纤维之间一体化的步骤和使碳化硅沉积于纤维束之间而将纤维束之间一体化的步骤，在碳化硅含浸于陶瓷纤维预制体而得的耐热复合材料的制造中，兼顾碳化硅的制膜的生长速度和包埋的均匀性。

原位化学气相沉积法在钼基合金表面制备二硅化钼涂层的方法-201610452635.4
发明人：范佳晨 -专利权人：张家港市思杰五金工具有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： C23C16/42
摘要：本申请公开了一种原位化学气相沉积法在钼基合金表面制备二硅化钼涂层的方法，包括步骤(1)、将硅粉、氟化钠和氧化铝混合，置于球磨机中混料20～24小时，获得粉末喂料；(2)、钼基合金表面处理，依次包括喷砂、超声波清洗、除油；(3)、将粉末喂料和钼基合金置于管式炉中，在900～1000℃预处理10～12小时，冷却至室温，然后超声波清洗并烘干，在钼基体表面制备得到二硅化钼层。本发明在钼基合金表面获得的二硅化钼层，具有良好的抗氧化性能，使用寿命长，可以延缓涂层与基体之间的扩散。

制备含硅膜的方法-201310291966.0
发明人：杨柳;萧满超;韩冰;K·S·卡瑟尔;M·L·奥尼尔 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2011-02-09 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： C23C16/42
摘要：本发明提供了制备含硅膜的方法。本文描述了形成介电膜的方法，该膜包含硅、氧及任选的氮、碳、氢和硼。本文还公开了在待加工的物体，如半导体晶片，上形成介电膜或涂层的方法。

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发明人：原大治;清水真乡 -专利权人：东曹株式会社
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： C23C16/42
摘要：本发明涉及使用具有至少一个与硅原子直接键合的仲烃基，且具有氧原子相对于硅原子1为0.5以下的原子比这样的特定结构的有机硅化合物作为原料，以由通过CVD形成的含碳氧化硅形成的膜作为密封膜，用于气体阻隔部件、FPD器件、半导体器件等。

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摘要：本发明的目的在于提供在有机物与无机物混杂的基材中对其两种物质的密合性高、且阻隔性高的气体阻隔膜的膜结构和制造方法。具体地说，提供一种化学沉积膜，其包含硅原子、氧原子、碳原子和氢原子，该氧原子的浓度为10元素％～35元素％，该化学沉积膜是通过等离子体CVD法形成的；以及提供一种层积体，其具备该化学沉积膜；包含硅原子和0元素％以上且小于10元素％的氧原子并通过等离子体CVD法形成的第2化学沉积膜；以及包含硅原子和超过35元素％且70元素％以下的氧原子并通过等离子体CVD法形成的第3化学沉积膜，在化学沉积膜的一个面上层积有第2化学沉积膜和第3化学沉积膜。

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摘要：本发明提供一种密封膜，其是以氮化硅作为主成分的密封膜，其中，来自于Si－H的氢浓度与来自于N－H的氢浓度的总和为3E22atoms/cm³以上，来自于Si－H的氢浓度相对于所述总和的比例为40％以上。

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摘要：本发明提供一种CVD-SiC成型体，其可以适合用作在半导体制造工序中使用的蚀刻器用构件等，该成型体的光透射性低、电阻率高。提供一种SiC成型体，其为利用CVD法形成的SiC成型体，其包含1～30质量ppm的硼原子、超过100质量ppm且1000质量ppm以下的氮原子，优选的是电阻率超过10Ω·cm且为100000Ω·cm以下，波长950nm下的光透射率为0～1％。

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摘要：在将碳化硅浸渍于陶瓷纤维预制体的耐热复合材料的制造中，兼顾碳化硅的制膜的生长速度与包埋均一性。通过化学气相沉积法或化学气相浸渍法将碳化硅沉积于反应炉11所容纳的预制体100进行制膜，通过加入供给于反应炉11的原料气体及运载气体的添加气体的添加量来控制制膜的生长速度与包埋均一性。在制膜遵从一级反应的情况下，通过添加气体的添加量来控制制膜种的附着概率，在制膜遵从朗谬尔-欣谢伍德型速度式的情况下，通过添加气体的添加量进行控制，使得利用朗谬尔-欣谢伍德型速度式的零级反应区。

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发明人：长谷川敏夫;多田国弘;山崎英亮;大卫·L·奥梅亚拉;格利特·J·莱乌辛克 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： C23C16/42
摘要：提供了一种用于在衬底上形成金属硅化物层的方法。根据一个实施方案，该方法包括：将衬底设置在处理室中；以第一衬底温度将衬底暴露于由包含金属前体的沉积气体生成的等离子体，其中等离子体暴露以自限性过程在衬底上形成共形的含金属层。该方法还包括：以第二衬底温度将含金属层在不存在等离子体的条件下暴露于还原气体，其中将上述暴露步骤交替地进行至少一次以形成金属硅化物层，并且沉积气体不包含还原气体。该方法提供了在具有高深宽比的深沟槽中形成共形金属硅化物。

层叠膜及电子器件-201280030205.3
发明人：长谷川彰 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C23C16/42
摘要：本发明提供一种层叠膜，其是具备基材和形成于所述基材的至少一个表面上的至少一层的薄膜层的层叠膜，所述薄膜层当中的至少一层含有硅、氧及氢，基于所述薄膜层的在29Si固体NMR测定中求出的、与氧原子的键合状态不同的硅原子的存在比，Q1、Q2、Q3的峰面积相加而得的值相对于Q4的峰面积的比满足下述条件式（I）：（Q1、Q2、Q3的峰面积相加而得的值）/（Q4的峰面积）＜1.0…（I）Q1：与一个中性氧原子及三个羟基键合的硅原子，Q2：与两个中性氧原子及两个羟基键合的硅原子，Q3：与三个中性氧原子及一个羟基键合的硅原子，Q4：与4个中性氧原子键合的硅原子。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[发明专利]一种热原子层沉积技术ALD生长CoSix在审

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