[发明专利]一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 202011070429.X 申请日: 2020-10-09
公开(公告)号: CN112126897B 公开(公告)日: 2022-07-05
发明(设计)人: 咸冯林;徐林华;杨明珠;匡文剑;郑改革;李金花;曹兆楼;裴世鑫 申请(专利权)人: 南京信息工程大学
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58
代理公司: 南京汇盛专利商标事务所(普通合伙) 32238 代理人: 张立荣;乔炜
地址: 210044 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法,包括如下步骤:对m面蓝宝石衬底进行清洗,吹干后放入衬底托盘;将衬底载入真空室,待真空室的真空度达到3×10‑6 Pa后,通入高纯氩气,气体流量控制在40 sccm,调节真空室真空度为1Pa;对高纯Ga2O3陶瓷靶材进行预处理;采用磁控溅射法在衬底上沉积薄膜,衬底温度为25摄氏度,射频功率设置为40W,沉积时间为2小时;将制备好的薄膜放入管式炉中进行后退火处理,后退火温度为500‑800摄氏度,退火时间为2小时。本发明方法制备的alpha相氧化镓薄膜沉积面积大且粒径分布均匀。
搜索关键词: 一种 alpha 氧化 薄膜 制备 方法
【主权项】:
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