[发明专利]一种电子元器件绝缘保护层浇注工艺及其制备的电子元器件在审

专利信息
申请号: 202011065335.3 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN112175352A 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 唐伟;黄新宇;唐小波;李家建;张应强 申请(专利权)人: 四川瑞霆电力科技有限公司
主分类号: C08L63/00 分类号: C08L63/00;C08L3/06;C08K9/06;C08K7/26;C08K5/42;C08K5/521;B29B13/02;B29C35/02;B29C39/10;B29C39/38
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610015 四川省成都市中国(四川)自由贸*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种电子元器件绝缘保护层浇注工艺及其制备的电子元器件,涉及电子元器件绝缘材料技术领域;一种电子元器件绝缘保护层浇注工艺,包括以下步骤:S1调配:取环氧树脂,干燥,制得脱潮树脂,向脱潮树脂中加入添加料,搅拌均匀,制得调配料;所述添加料包括以下添加原料:固化剂,改性粘性淀粉;所述添加原料还包括改性填充料,所述改性填充料由以下原料制得:沸石粉,含氨基有机硅化合物;S2灌胶:将电子铜器件干燥,放入模具中,抽真空,将调配料倒入模具内,制得电子湿件;S3固化:将电子湿件固化,制得电子元器件。电子元器件绝缘保护层浇注工艺具有可减少产品性能损害的优点。电子元器件具有使用寿命长的优点。
搜索关键词: 一种 电子元器件 绝缘 保护层 浇注 工艺 及其 制备
【主权项】:
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