[发明专利]一种外延生长层和硫钠晶格改性富锂锰基正极材料的制备方法及应用在审
| 申请号： | 202011044506.4 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112242510A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 吕根品;胡康慧;向伟;程正;温益凡 | 申请（专利权）人： | 乳源东阳光磁性材料有限公司;成都理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/485;H01M4/58;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈嘉毅 |
| 地址： | 512721*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种外延生长层和硫钠晶格改性富锂锰基正极材料的制备方法及应用。本发明提供的外延生长层和硫钠晶格改性富锂锰基正极材料的制备方法简单，后处理容易，成本低，制备得到的正极材料的颗粒尺寸分布均匀，其0.1C首圈放电比容量为304.69mAh g |
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| 搜索关键词： | 一种 外延 生长 晶格 改性 富锂锰基 正极 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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