[发明专利]一种边射惠更斯源二元天线阵列有效
申请号: | 202011035618.3 | 申请日: | 2020-09-27 |
公开(公告)号: | CN112164870B | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 唐明春;涂汉文 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | H01Q1/36 | 分类号: | H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q21/00 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 赵荣之 |
地址: | 400044 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种边射惠更斯源二元天线阵列,属于天线技术领域。该天线包括:介质基板、两个埃及战斧电偶极子、两个磁偶极子、去耦结构、两个激励单元和六个3D打印的尼龙支撑架;去耦结构设置于第一介质基板,磁偶极子上表面设置于第二介质基板,电偶极子设置于第三介质基板,磁偶极子下表面和馈线分别设置于第四层介质基板正反面;两对电磁偶极子分别构成两个惠更斯源天线单元,去耦结构被放置于第一层介质基板的相对位置中心。两个激励单元通过耦合馈电方式激励起两个磁偶极子,进而磁偶极子激励起电偶极子形成惠更斯源辐射。本发明具有高隔离度、高方向性以及良好的惠更斯源特性,同时具有紧凑化、结构简单的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 惠更斯 二元 天线 阵列 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大学,未经重庆大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011035618.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种工业污水处理用的污水池
- 下一篇:一种stacking模型融合方法