[发明专利]一种边射惠更斯源二元天线阵列有效

专利信息
申请号: 202011035618.3 申请日: 2020-09-27
公开(公告)号: CN112164870B 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 唐明春;涂汉文 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: H01Q1/36 分类号: H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q21/00
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 赵荣之
地址: 400044 重*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明涉及一种边射惠更斯源二元天线阵列,属于天线技术领域。该天线包括:介质基板、两个埃及战斧电偶极子、两个磁偶极子、去耦结构、两个激励单元和六个3D打印的尼龙支撑架;去耦结构设置于第一介质基板,磁偶极子上表面设置于第二介质基板,电偶极子设置于第三介质基板,磁偶极子下表面和馈线分别设置于第四层介质基板正反面;两对电磁偶极子分别构成两个惠更斯源天线单元,去耦结构被放置于第一层介质基板的相对位置中心。两个激励单元通过耦合馈电方式激励起两个磁偶极子,进而磁偶极子激励起电偶极子形成惠更斯源辐射。本发明具有高隔离度、高方向性以及良好的惠更斯源特性,同时具有紧凑化、结构简单的特点。
搜索关键词: 一种 惠更斯 二元 天线 阵列
【主权项】:
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