[发明专利]一种碳热还原法合成大长径比碳化铪晶须的方法有效
| 申请号： | 202011015062.1 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112195503B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 张守阳;郭瑶;张磊磊;宋强;何松 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C30B1/10 | 分类号： | C30B1/10;C30B28/02;C30B29/36;C30B29/62 |
| 代理公司： | 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳热还原法合成大长径比碳化铪晶须的方法，采用碳热还原法，不借助催化剂，无金属杂质引入，得到的HfC晶须纯度较高、长径比大，文献报道的HfC晶须的长径比分布在5～180，而本发明制备的HfC晶须的长径比为50～500。与文献报道的HfC晶须相比，本发明制备的HfC晶须的最大长径比提高了178％。HfC晶须既可作为增强体材料制备多孔HfC晶须预制体，也可作为第二增强相应用于超高温陶瓷基或碳基复合材料，还可作为功能材料用于阴极场发射器，具有广泛的应用前景。碳热还原法具有工艺过程简单，参数易于控制，对设备要求低，成本低，可靠性和重复性好，易于实现规模化生产HfC晶须的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 还原法 合成 长径 碳化 铪晶须 方法 | ||
【主权项】：
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