[发明专利]永磁体涡流损耗的优化方法有效

专利信息
申请号: 202011011184.3 申请日: 2020-09-23
公开(公告)号: CN112152400B 公开(公告)日: 2023-04-25
发明(设计)人: 佟文明;孙鲁;吴胜男;张红奎 申请(专利权)人: 沈阳工业大学
主分类号: H02K15/00 分类号: H02K15/00;G06F30/17;G06F30/23
代理公司: 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 代理人: 宋铁军
地址: 110870 辽宁省沈阳*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种永磁体涡流损耗的优化方法,包括以下步骤:1)选取非同心磁极永磁电机的永磁体区域以子域法模型为基础,采用混合分区域的方法对不同形状的永磁体进行径向和周向分域;2)构建非同心磁极永磁电机的永磁体涡流损耗模型;3)得到优化后的非同心磁极永磁电机永磁体区域的偏心距最后按照偏心距设置非同心磁极永磁电机永磁体区域。本发明对非同心磁极参数优化,得到转子涡流损耗最低时的偏心距指标,设计电机,从而降低了电机的永磁体涡流损耗。解决现有方法精度低,时间长,通用性较差等问题。
搜索关键词: 永磁体 涡流 损耗 优化 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳工业大学,未经沈阳工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011011184.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top