[发明专利]III族氮化物基板在审
| 申请号： | 202011005460.5 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112635543A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 森勇介;吉村政志;今西正幸;北本启;泷野淳一;隅智亮;冈山芳央 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张毅群 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在实现高载流子浓度的同时、位错低且电阻低的III族氮化物基板。III族氮化物基板在经过研磨的面内，具有显示第1杂质浓度的第1区域和显示低于第1杂质浓度的第2杂质浓度的第2区域，第1区域的第1位错密度低于第2区域的第2位错密度。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 | ||
【主权项】：
暂无信息
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