[发明专利]一种负压电平转换控制电路和方法有效
| 申请号： | 202010970861.8 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN112202440B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 刘炽锋;张鑫 | 申请（专利权）人： | 广州慧智微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/017 | 分类号： | H03K19/017;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 贾伟;张颖玲 |
| 地址： | 510663 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种负压电平转换控制电路和方法，所述负压电平转换控制电路包括：负压产生电路、偏置电路和电平移位单元电路；其中，所述偏置电路的输出端与所述电平移位单元电路连接，另一端与所述负压产生电路连接；所述负压产生电路的输出端与所述电平移位单元电路连接；所述偏置电路用于接收使能信号，输出偏置电压；所述偏置电压用于控制所述电平移位单元电路的切换过程；所述使能信号用于对所述偏置电路和所述负压产生电路使能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压电 转换 控制电路 方法 | ||
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- 本发明所述的一种超低功耗的高速度动态电平转换器，包括上升沿延时控制级电路和输出驱动级电路，所述上升沿延时控制级电路控制所述输出驱动级电路的第一PMOS开关管和第二PMOS开关管的启闭，以确保输出电平信号能够正常开启或关闭第一负载PMOS开关管，所述输出驱动级电路利用电荷在第二电容、第一PMOS开关管的栅源电容、第一负载PMOS开关管的栅源电容与工作电压之间的相互转移来实现输入电平信号到输出电平信号之间的电平转换，几乎没有电荷的流失，实现了工作电压的超低功率损耗运行，而且该超低功率损耗与工作电压的电位高低、输入电平信号的频率快慢没有关系，输入电平信号到输出电平信号的传输速度非常快。
- 接口电路和接口装置-202011332737.5
- 朴钟旻 - 三星电子株式会社
- 2020-11-24 - 2021-07-06 - H03K19/017
- 接口装置，其包括多个接口电路，其中，多个接口电路中的每个接口电路包括串联连接到第二开关元件的第一开关元件、以及连接到输出端子的第一电容器和第二电容器，第一开关元件和第二开关元件连接到该输出端子；以及控制器，其被配置为通过控制第一开关元件和第二开关元件来确定与多个接口电路相对应的多个输出信号，并且被配置为通过对第一电容器和第二电容器进行充电和放电来调节多个输出信号的转换速率。
- 用于集成电路的低电压电平移位器-201911192206.8
- 梅杰;X·钱;H·V·特兰;C·朱 - 硅存储技术股份有限公司
- 2019-11-28 - 2021-05-28 - H03K19/017
- 本发明题为“用于集成电路的低电压电平移位器”。公开了一种改进的电平移位器。该电平移位器对于VDDL使用相对低的电压(诸如0.75V)能够实现低于1ns的切换时间。该改进的电平移位器包括耦合级和电平转换级。还公开了一种相关的电平移位方法。
- 一种DDR发送电路-202110059798.7
- 孔亮;陈捷;刘亚东;庄志青 - 灿芯半导体（上海）有限公司
- 2021-01-18 - 2021-02-19 - H03K19/017
- 本发明公开了一种DDR发送电路，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、电阻、同相器、反相器以及用于提供第一电压信号至第三电压信号之间电压的低压器件，所述第一PMOS管的源极接第三电压信号，栅极接所述低压器件的输出端，漏极连接所述第二PMOS管的源极；所述低压器件的三个输入端分别连接所述同相器的输出端、所述第一电压信号和所述第三电压信号；所述同相器的输入端接电平信号；所述第一NMOS管的源极接地，栅极接所述反相器的输出端，漏极接所述第二NMOS管的源极；反相器的输入端接电平信号；第二PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极相接并连接电阻的第一端。采用速度较快的低压器件做主驱动电路及前驱动电路，有效提高工作速度。
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