[发明专利]半导体器件及制造其的方法在审
| 申请号： | 202010945220.7 | 申请日： | 2020-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN112635465A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 尹成美;任桐贤;金主烨;魏胄滢;李南勋;郑天炯 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了半导体器件及制造其的方法。该半导体器件可以包括有源图案、硅衬垫、绝缘层、隔离图案和晶体管。有源图案可以从基板突出。具有晶体结构的硅衬垫可以共形地形成在有源图案和基板的表面上。绝缘层可以形成在硅衬垫上。隔离图案可以形成在绝缘层上以填充与有源图案相邻的沟槽。晶体管可以包括栅极结构和杂质区域。栅极结构可以设置在硅衬垫上，并且杂质区域可以形成在硅衬垫和与栅极结构的两侧相邻的有源图案处。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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