[发明专利]实现单个吸收体具有近全吸收太阳光吸收性能的单吸收体的制备方法有效
| 申请号： | 202010922147.1 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN112126417B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 王海龙;刘曼 | 申请（专利权）人： | 王海龙 |
| 主分类号： | C09K5/14 | 分类号： | C09K5/14;C09K3/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 | 代理人： | 蒋欢妹 |
| 地址： | 057751 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种实现单个吸收体具有近全吸收太阳光吸收性能的单吸收体的制备方法，通过纳米复合核壳结构材料的壳层的结构和形貌尺寸调控、使在单个吸收体上形成耦合增益效应，改进单个吸收体的光谱特性，拓宽吸收体的吸收光谱范围，成功制备单个吸收体具有超宽频吸收光谱的耦合增益局域表面等离子体共振吸收体，极大地增强了吸收体的局域表面等离子体共振的吸收强度，同时拓宽了单个吸收体的光吸收范围，改进单个吸收体的光吸收特性。单个CE‑LSPR吸收体的吸收光谱连续地覆盖335‑1800nm，吸收96.04％的太阳光，首次实现单个吸收体近全吸收太阳光。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 单个 吸收体 具有 吸收 太阳 光吸收 性能 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于王海龙，未经王海龙许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010922147.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
