[发明专利]一种用于手性分子探测的微结构在审
| 申请号： | 202010895763.2 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN111982824A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/19 | 分类号： | G01N21/19 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528458 广东省中山市中山火炬开发区中心城区港*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于手性分子探测的微结构，包括基底、磁性材料层和微结构层，磁性材料层置于基底上，微结构层置于磁性材料层上，微结构层包括周期性排列的微结构单元，微结构单元为非手性结构，微结构单元的材料为贵金属；应用时，在微结构层上涂覆待测手性分子，在外磁场作用下，圆偏振光倾斜照射微结构层，通过测量磁光效应实现手性分子探测。由于磁光效应的强度严重地依赖于外加磁场的强度，所以可以通过提高外加磁场的强度，增强不同圆偏振光入射时手性分子导致的反射光差异，从而提高手性分子探测的灵敏度，在手性分子探测灵敏具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 手性 分子 探测 微结构 | ||
【主权项】：
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