[发明专利]一种基于克尔效应的声波传感器在审
| 申请号： | 202010895725.7 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN111982269A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01H9/00 | 分类号： | G01H9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528458 广东省中山市中山火炬开发区中心城区港*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及声波探测领域，具体提供了一种基于克尔效应的声波传感器，压磁材料层置于基底上，压磁材料层的表面为平面，空腔周期性地设置在压磁材料层内。应用时，将本发明的基于克尔效应的声波传感器置于待测环境中或与待测物体接触，待测环境或待测物体中的声波与本发明的基于克尔效应的声波传感器作用，改变压磁材料层内部的应力，线偏振光倾斜照射压磁材料层，在垂直于入射面方向施加外磁场，通过探测反射光的强度实现声波探测。因为压磁材料层的磁导率严重地依赖于其所受到的内部应力，所以本发明能够实现声波的高灵敏探测，在声波探测领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 克尔 效应 声波 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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