[发明专利]紫外探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010771531.6 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN112071949B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 曹培江;王庆;栾迪;吕有明;朱德亮;柳文军;韩舜;刘新科;许望颖;方明;曾玉祥 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/108;H01L31/0296;B82Y40/00;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 曹柳 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请属于探测器技术领域，尤其涉及一种紫外探测器的制备方法，包括步骤：获取衬底层，在所述衬底层上沉积MgZnO靶材，形成MgZnO晶种层；在所述MgZnO晶种层上生长MgZnO纳米棒，形成MgZnO纳米棒阵列层；在所述MgZnO纳米棒阵列层背离所述MgZnO晶种层的表面制备电极，得到紫外探测器。本申请紫外探测器的制备方法，实现了不同晶相组织晶种层均生长出高取向性的纳米棒阵列，提高MgZnO纳米棒阵列中表面/体积比，使制备的紫外探测器具有较高的响应度，更低暗电流，更高光暗电流比，紫外光探测性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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