[发明专利]一种多级腔拉曼基底及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010737095.0 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN111965160B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 张超;李振;赵晓菲;郁菁;满宝元 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 邓建国 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及光学检测材料领域，具体提供一种多级腔拉曼基底及其制备方法和应用。包括以金字塔硅为基底，在表面垂直生长的二硫化钼纳米片，在二硫化钼上复合原位还原的金纳米颗粒。在金字塔硅表面制备垂直生长的二硫化钼纳米腔，在二硫化钼的表面通过原位还原的方法修饰金纳米颗粒，得到多级腔拉曼基底。解决现有技术中拉曼基底检测限高，制备工艺繁琐，不利于大批量生产的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多级 腔拉曼 基底 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东师范大学，未经山东师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010737095.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
