[发明专利]一种石墨烯/碳包覆硅基负极及其制备方法在审
| 申请号： | 202010734729.7 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN114005965A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 崔日俊;李国敏 | 申请（专利权）人： | 深圳格林德能源集团有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525;C01B32/182 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 崔自京 |
| 地址： | 518105 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯/碳包覆硅基负极及其制备方法，所述的硅基负极包括硅基材料、硅基材料表面包覆的无定型碳及石墨烯，所述的制备方法包括聚多巴胺包覆硅基材料的制备、氧化石墨烯/聚多巴胺包覆硅基材料的制备及高温处理。本发明有效地实现石墨烯对硅基材料的均匀包覆，有效地抑制硅基材料体积膨胀效应，提高材料的电子电导率及锂离子电池的长期循环性能，同时本发明的制备方法简单方便，易于实现规模化、产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 碳包覆硅基 负极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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